重磅预告 | 发挥GaN的巨大潜力-微纳加工技术刻不容缓

近几年氮化镓功率器件在消费电子快充（充电器，适配器）领域着实很火，小试牛刀后，现已开始进军数据中心、激光雷达、无线充电及光伏领域，如同“黎明前的光亮”一样，正点亮氮化镓的市场化之路。不久前氮化镓头部企业GaN Systems与宝马汽车签订了数亿元合同，近日另一家头部企业Navitas收购碳化硅知名公司GeneSiC，开启了氮化镓加速“上车”之路，但是氮化镓的市场价值从量变到质变的“拐点”到来还面临着诸多的科学和技术挑战，如可靠性、新拓扑结构、封装形式、IC集成度及产业生态和供应链成本等，还需要整个产业上下游共同的努力。

刻蚀技术就是氮化镓功率器件微纳加工制备工艺中的核心关键技术之一，如凹槽栅结构是目前实现增强型氮化镓HEMTs或提高耗尽型器件功率增益的常用方法，但是等离子体刻蚀容易对栅下势垒材料和沟道造成损伤，进而引起器件工作频率、功率转换效率、可靠性等性能退化。对于高频小尺寸器件发展所需的强极化异质结构，等离子体刻蚀高铝组分势垒层材料带来的表面损伤和沟道载流子输运特性退化现象则更为突出，制约着高频增强型氮化镓器件的发展；另外将来具有p型和n型材料列的“超结”结构需要通过高深宽比刻蚀技术来实现。

直播时间：2022年10月19日 14:00-16:00

承办媒体：雅时国际商讯《化合物半导体》

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研讨会议程，嘉宾以届时实际出席为准

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