2022-04-29 18:30:33 布鲁克(北京)科技有限公司-光谱仪器
碳化硅(SiC)已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一,由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势,特别是对于大功率半导体器件,碳化硅优于硅,更受青睐。而碳化硅(SiC)外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。因此,碳化硅外延技术对于碳化硅器件性能的充分发挥具有决定性的作用,是宽禁带半导体产业重要的一环。不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。
红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。对于掺杂后折射率参数很难准确确定的情况下,不仅可用于单层外延层层厚分析,更重要的可以用于复杂多层结构外延层层厚分析。结合布鲁克INVENIO,VERTEX系列宽波段光谱仪,可用于亚微米量级至毫米量级的外延层层厚分析。
厚度范围:亚微米量级至毫米量级
同质外延、异质外延
单层、多层
专用的分析模型,尤其对于复杂、多层结构的分析
可选自动晶圆扫描成像附件,可对直径2"—12"的晶圆进行自动多点测试、分析
单层 多层
多点测试
*红色曲线:实际测试曲线
*蓝色曲线:模型拟合计算曲线以及厚度结果
如果您对此方法感兴趣,欢迎您来电垂询,交流、沟通。感谢您的关注!
布鲁克(北京)科技有限公司
技术负责人:雷浩东
联系电话:133 7011 9717
联系邮箱:info.bopt.cn@bruker.com
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