PICOSUN原子层沉积设备ALD可用于在集成电路上的应用

Picosun适应性强其客户包括最大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球领先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。

ALD主要应用：

1.在集成电路上的应用：Fin-FET和HKMG工艺在Si衬底上长高K绝缘层HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；电容器金属电极；晶体管栅电极；TSV电镀铜前长阻挡层和种子层；

2.在显示中的应用：在Micro-LED中通过在沟槽中长钝化层来改善光散射性能；在OLED中低温长防水层。

3.在激光器和功率器件的应用：VCSEL侧面长AlN、Al2O3保护层；GaN高频器件T Gate刻蚀后去氧化层并镀上保护层。

4.验证光刻胶性能：第三方实验室或者工厂FA部门，涂胶后通过低温ALD镀一层很薄的膜来保持住光刻胶的整体形貌，然后通过FIB+TEM等方法来验证光刻胶性能，如果不镀膜直接上FIB或TEM会破坏光刻胶原有的形貌，无法获得准确的结果。

5.其他应用：MEMS/SAW等做高均匀性镀膜，锂电池、医疗等行业等粉末镀膜。

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。

敏捷的设计实现了最高质量的ALD薄膜沉积以及系统的最终灵活性，可以满足未来的需求和应用。 的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在最具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。

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