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台式三维原子层沉积系统ALD
原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 | |
| 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可zei多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。 |
GEMStar XT 产品特点: * 300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制 * 175℃温控150ml前驱体瓶,200℃温控输运支管 * 可容纳多片4,6,8英寸样品同时沉积 * 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体 * 标准CF-40接口 * 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件 * 等离子体辅助ALD插件 * 多种配件可供选择 | GEMStar XT 产品型号: GEMStar XT-S: * zei大8英寸/200 mm基片沉积(4'和6' 可选) * 单路前驱体输运支管, 4路前驱体瓶接口 * 可升级为等离子体增强ALD GEMStar XT-D: * zei大8英寸(200mm)基片沉积(4'和6' 可选) * 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口 * 可升级为等离子体增强ALD |
| GEMStar XT-P: * zei大8英寸/200mm基片沉积(4'和6 '可选) * 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口 * 装备高性能ICP等离子发生器 13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,zei高运行功率达300W。 * 标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。 |
新产品发布: | GEMStar NanoCUBE: * zei大100 mm 立方体样品 沉积(4'和6' 可选) * 单路前驱体输运支管, 2路前驱体瓶接口 * 主要用于3D多孔材料,以及厚样品的沉积 |
丰富配件: | ||
多样品托盘: * 多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。 * 多基片夹具,zei多同时容纳9片基片。
| 温控热托盘: * 可加热样品托盘,zei高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。
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尾气处理系统:
| 臭氧发生器:
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粉末旋转沉积罐模块: 配合热壁加热方式,进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。
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手套箱接口: 可从侧面或背面接入手套箱,与从底部接入手套箱不同,不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面,反应过程中不对手套箱有加热效应,不影响手套箱内温度。 | ||
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应用案例
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国内外用户
已发表文献
Loic Assaud et al. Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088******26/16/164003
HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd core–shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59–68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019 Sean W. Smith, et al. Improved oxidation resistance of organic/inorganic composite atomic layer deposition coated cellulose nanocrystal aerogels. J. Vac. Sci. Technol. A (2014) 4, 32 DOI: 10.1116/1.4882239 Fatemeh Sadat MinayeHashemi et al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal−Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957−10962. DOI: 10.1021/jp502669f Jeffrey B. Chou, et.al Enabling Ideal Selective Solar Absorption with 2D Metallic Dielectric Photonic Crystals. Adv. Mater. (2014), DOI: 10.1002/adma.201403302. Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 6337–6345. DOI: 10.1021/nn402385f Pengcheng Dai, et al. Solar Hydrogen Generation by Silicon Nanowires Modified with Platinum Nanoparticle Catalysts by Atomic Layer Deposition. Angew. Chem. Int. Ed. (2013), 52, 1 –6. DOI: 10.1002/anie.201303813 Joseph Larkin et al. Slow DNA Transport through Nanoporesin Hafnium Oxide Membranes. ACS Nano (2013), 11, 10121–10128. DOI: 10.1021/nn404326f Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388–391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.023
Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.4818168 Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012. |
三维原子层沉积系统 ALD,GEMStar-4/6/8 XT
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通过高分子网状模板沉积不同薄膜材料(Au, Cu, Ni, SiO2, poly(C8H4F4))获得周期有序微格结构,其密度在0.5 mg/cm3 to 500 mg/cm3之间。以压力法测得杨氏模量和强度,并且进行了
台式三维原子层沉积系统-ALD体积小巧,可放在实验桌上多片4,6,8 英寸样品同时沉积厚度均匀性高于99%适合复杂/ 掺杂薄膜沉积二维半导体表面沉积利器...... 随着现代半导体行业的发展,基于硅半导体的场效应晶体管(FET)的尺寸不断缩小,目前已经接近其物理极限。在新兴材料中,二维半导体可达到原子级厚度且保持高载流子迁移率,理论上可实现优异的栅极控制,因而被认为是用于下一代场效应晶体管的理想沟道材料。然而,由于
MoS2(二硫化钼),由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8 eV),高表面体积比和卓越的场效应晶体管(FET,field effect transistor)性能,已成为具代表性的二维过渡金属硫族化合物(TMDC, transition-metal dichalcogenide)。使用纳米晶(Nano-Crystal,NC)修饰MoS2,即可以保持每个组成部分的独立特性,同时又提供了复合材料产生的协同特性,大的扩展了MoS2材料的应用领域。控制纳米晶(N
纳米颗粒(特别是当粒径小于20 nm时)所展现出的诸多新奇光学性质,一直是令无数研究人员着迷的话题。研究人员一方面不断探索、发掘新的现象并尝试给予解释,一方面积地尝试将各种新奇的性质应用于改善人们的生活。随着纳米颗粒相关领域研究的蓬勃发展,高品质纳米颗粒的合成以及宏量制备已经成为现实。然而,随着研究需求与实际应用需求的不断提升,不论是实验抑或是生产,对纳米颗粒的定位与组装的精度和可靠性的要求也越来越高。
引言 异质催化剂的合成通常借助于传统的湿法化学法,包括浸渍法、离子交换和沉积-沉淀法等。然而,这些方法合成的催化材料往往具有非常复杂的结构和活性位点分布不均匀等问题,这些问题会显著降低催化剂的催化性能,特别是在选择性上,阻碍了科学家们在原子水平上理解催化剂的结构-活性关系。此外,在苛刻的反应条件下通过烧结或浸出造成的活性组分的损失会导致催化剂的大面积失活。因此,亟待发展一种简便的方法来调控催化剂的活性位结
原子层/分子层沉积原子层/分子层沉积(ALD/MLD, Atomic layer deposition/Molecular layer deposition)技术, 是指将被沉积物质以单原子/单分子形式逐层附着在基底上的一种化学气相沉积技术。它利用饱和化学吸附的特性,可以确保对大面积、多孔、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形均匀沉积,是一种真正的“纳米”技术。相比于传统的沉积方法,ALD/MLD技术具有如下特点:(1) 沉积具有自限性(sel
由于在氢氧化(hydrogen oxidation)和氧还原(oxygen reduction)反应中的高效催化特性,铂基催化剂被广泛地应用于质子交换膜燃料电池当中的关键组成部分,比如阴和阳。然而,当质子交换膜燃料电池在较为严苛的环境下(比如低pH环境(<1)、高的氧浓度、高湿度等)运行时,商用的铂/碳催化剂会展现出耐用性低的问题。由于Ostwald熟化效应、铂纳米颗粒的脱离、铂纳米颗粒的团聚等问题,铂/碳催化剂的活性会显著下降。因此,开发有效方案来稳固铂
导 | 读 近期,瑞士IBM苏黎世研发中心的Colin博士和Swisslitho公司的Martin博士利用热扫描探针(T-SPL)纳米加工技术,配合干法蚀刻解决方案实现了相互作用微腔(两个相邻的光学微腔),并对微腔距离进行了控制,实现了两个微腔光场的相互作用。相关工作发表在Nature子刊 Scientific Report。 T-SPL纳米加工技术 热扫描探针(T-SPL)纳米加工技术是一种灰度刻蚀技术。与传统意
日本ADVANCE RIKO公司总结多种薄膜沉积技术,发布电弧等离子体沉积(APD)系统。其工作原理主要分为三步:首先在触发电上加载高电压后,电容中的电荷充到阴(靶材)上;其次真空中的阳和阴(靶材)间,电子形成了蠕缓放电,并产生放电回路,靶材被加热并形成等离子体;后通过磁场控制等离子体照射到基底上,形成薄膜或纳米颗粒。APD工作原理 电弧等离子体沉积系统利用5个高能电容器,通过改变电容器使用数量,使充电电压发生改变,从而控制脉冲能量,终达到控制薄
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