牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备

PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备解决方案可提供精确的刻蚀控制，满足GaN HEMT制造商的规格和性能要求。PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备结合了针对GaN和AlGaN层优化的全集成Etchpoint®刻蚀深度监控解决方案，可为p-GaN HEMT和凹栅MISHEMT等器件提供低损伤刻蚀和平滑的表面，以及十分优异的目标刻蚀深度精度。

PlasmaPro 100 ALE和Etchpoint解决方案的主要优点

在同一腔室内对GaN和AlGaN进行高速ICP和低损伤ALE加工，其中最大加工直径可达200 mm

利用优异的刻蚀一致性工艺，有助于提高器件和晶圆的产量

刻蚀平台已经过生产验证，并配备自动盒式处理机，可用于大批量生产，值得信赖

紫外波长刻蚀点刻蚀深度监控器是与LayTec共同开发的，并专门针对GaN和AlGaN刻蚀进行了优化

刻蚀点终点检测实现了优异的刻蚀后剩余AlGaN厚度精度，为±0.5 nm

利用ALE加工可降低AlGaN和GaN表面粗糙度，并进一步提高GaN HEMT的性能

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