全芯微电子AEH系列单片湿法刻蚀设备

AEH系列单片湿法刻蚀设备，以精准化学刻蚀去除晶圆材料，具备高精度、低污染优势，适配 4-12 英寸晶圆，可用于优良封装、化合物半导体等多工艺场景。

设备配置：2-8 chambers(可选)

衬底材质：Si、SiC、GaAs、InP

适用工艺：氧化硅/氮化硅刻蚀(SiOx/SiNx etch)、金属刻蚀/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化锡/氧化锌(TO/GZo)等

工艺指标：介质刻蚀均匀性<5%、金属刻蚀均匀性<5%、颗粒控制(≤10ea@0.2µm)

应用领域：IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研等

设备尺寸：2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)

AEH系列单片湿法刻蚀设备技术特征：

· 机台可实现多尺寸兼容；

· 工艺腔体经过优化设计，提供优秀的洁净度控制；

· 可兼容铜/钵刻蚀液同腔作业，并实现独立的循环回收使用，最多可兼容4种药液同腔作业；

· 可配合使用Nano spray工艺和IPA N2 dry等干燥工艺。

全芯微电子AEH系列单片湿法刻蚀设备信息由华兆科技（广州）有限公司为您提供，如您想了解更多关于全芯微电子AEH系列单片湿法刻蚀设备报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

提供技术指导、安装、定期维护及操作培训等专业服务，确保客户获得可靠的售后支持