PHI ADEPT-1010动态二次离子质谱仪

ADEPT-1010™ 型四级杆动态SIMS采用独特的二次离子提取系统，该系统能够提高二次离子传输性能。高的离子传输性能提高了深度分析的检测限，使得ADEPT能够出色完成对离子注入结构的深度和剂量检测任务。这些离子注入过程中的关键参数测试的重复性精度可以控制在几个百分点，符合半导体行业的需求。ADEPT-1010 的超高真空检测环境有助于对低浓度大气污染物进行深度剖析，同时保持了出色的深度分辨率和低溅射率。这种检测能力对于高速半导体器件的检测信息完整性而言至关重要。应用SIMetric软件，实现高效快速测试的同时ADEPT-1010能够自动分析分析多个样品，实现无人值守。

PHI ADEPT 1010

简介

动态二次离子质谱仪（D-SIMS）是使用一次离子束（通常是Cs源）轰击样品表面，而产生二次离子，然后用质谱分析仪分析二次离子的质荷比（m/q），从而得知元素在样品中的深度分布，是分析半导体掺杂和离子注入的强有力的工具。

优势

ULVAC-PHI 最新设计的四极杆-二次离子质谱仪ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基础上，改善了离子光学系统，是在一次离子能量低至250eV时，仍保持有效的溅射束流的动态二次离子质谱系统（D-SIMS）。

特点

1. 大束流低能量离子枪设计，极大的提高了深度分辨率

2. 高性能离子光学系统，改善了二次离子传输效率，在提高分析效率的同时又提高了检测灵敏度

3. 高精度全自动5轴样品操控台

4. 不同方向进入检测器的二次离子，均可被高灵敏地收集检测

应用实例分析

采用一次离子源Cs在加速5kV束流为100nA的条件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H检测限值7.1X10¹⁶ atm/cm³，O检测限值4.4X10¹⁵ atm/cm³，C检测限值2.0X10¹⁵ atm/cm³。

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