单晶硅差压变送器

通用技术性能和参数

输出信号：4～20MA.DC二线制（模拟）
        二线制4～20mA直流信号上叠加数字信号，由用户选择线性或开方输出。
供电电源：18～36V.DC
电源影响：<0.005%/V
负载影响：电源稳定时，无负载影响。
测量精度：调校量程的±0.075%

迁移特性：最大正迁移量100%
         最大负迁移量100%
注： ① 负迁移量的绝对值，不大于一个工程大气压。
     ② 迁移后的上限或下限绝对值，均不应超过最大测量范围的上限值。
     ③ 差压流量变送器迁移会破坏开方特性，故不能进行迁移。
     ④ 绝对压力变送器不能进行负迁移。

阻     尼：通常可在0.2～1.67秒之间可调，当灌充惰性液或带远传装置时，时间常数会增大。
启动时间：<2秒，不需预热
工作环境：环境温度 -29～93℃（模拟放大器）
         -29～85℃（数字/智能放大器）
        环境湿度   0～95%
防护特性：防护能力 IP65
防爆类型：隔爆型   Exd II BT4-6
         本安型   Exia II CT5
静压影响：DP类零位误差：对于14MPa，±0.1%最大量程限值或±0.25%最大量程限值（量程代号为3），在管道压力下通过调零给予校正。
HP类零位误差：±0.5%最大量程限值，对于32MPa在管道压力下通过调零给予校正。
电磁辐射影响：0.05%最大量程值，接受辐射频率27～500MHz，试验场强3V/m。

振动影响：任何方向200Hz振动时，±0.05%/g。
安装位置：膜片未垂直安装，可能产生小于0.24kPa的零点误差，但可通过调零来消除。