eLINE Plus电子束光刻系统

简介

eLINE Plus是一款专为多种原位纳米加工技术设计的纳米光刻系统，具有世界上最细的电子束尺寸（<1.6 nm），能够在50kV加速电压下实现最小线宽≤8nm的超高分辨率纳米制造。该系统适用于广泛的科学领域，提供高精度的拼接和套刻性能，并具备先进的电子束光刻及纳米工程技术，能够满足学术研究机构对纳米制造前沿探索的需求。

其它参数

最小线宽：≤8nm

光栅周期：≤40nm

束电流稳定性：＜0.2%/h

束位置稳定性：＜120nm/8h

1.产品概述：

eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。

2.产品优势：

世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（< 1.6 nm）

EBL抗蚀剂的线宽小于5nm

使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线

新的eLINE Plus被设计为最通用的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用

ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。

专业和无损的EBL：保证优越的系统规格和世界上最小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。

3. 产品参数：

最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nm

50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调

肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA

图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm

通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架

拼接精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

套刻精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

束电流稳定性＜0.2%/h   束位置稳定性＜120nm/8h

eLINE Plus电子束光刻系统信息由深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于eLINE Plus电子束光刻系统报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。