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中微 Primo Twin-Star® 电介质刻蚀
参考价：面议
品牌：中微公司 产地：中国 型号：Primo Twin-Star® 样本：来电或留言获取样本
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参数
| 供应商性质：生产商 | 产地类别：国产 |
产品介绍
Primo Twin-Star® 是中微基于电感耦合（ICP）技术研发的 12 英寸刻蚀设备。它可以配置多达三个具有双反应台的刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。每个刻蚀反应腔可同时加工一片或两片晶圆并取得高度均匀和一致的结果。ICP 发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合 3D 线圈设计，可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。设备还采用了可实现多区动态温控的静电吸盘，使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料，以获得更高的工艺重复性和生产率。Primo Twin-Star® 适用于各种尺寸和深度的硅结构刻蚀以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀。此外，该产品和单反应台腔体相比还具有明显的低成本优势。
Primo Twin-Star®
为功率器件、逻辑芯片和存储芯片等应用提供的高性价比的刻蚀解决方案
双反应台腔体设计 低电容耦合3D线圈设计 高抽速大容量涡轮泵 双通道进气 精密的腔体温控和RF窗口温控系统 先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺多区动态温控静电吸盘 13兆赫或400千赫脉冲偏压系统 可选的集成除胶反应腔产品特点
离子浓度和离子能量独立可控 高排气量和更宽的工艺窗口 优秀的刻蚀均匀性 优异的高深宽比刻蚀性能 高生产效率，低生产成本（CoO）竞争优势
中微 Primo Twin-Star® 电介质刻蚀信息由中微半导体设备（上海）股份有限公司为您提供，如您想了解更多关于中微 Primo Twin-Star® 电介质刻蚀报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
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