牛津仪器 Asylum Research 扫描微波阻抗显微镜

利用sMIM，可以对金属、半导体和绝缘材料进行纳米级的介电常数和导电性成像。该技术适用于所有MFP-3D 原子力显微镜（除了Origin型号以外）。

• 可提供更高的侧向分辨率（<50 nm）和信噪比（> 10倍）

•  与竞争品牌的同类技术相比，其运行速度快80倍，且功率更低

扫描微波阻抗显微镜（sMIM）是AsylumResearch公司MFP-3DTM和Cypher STM原子力显微镜产品上独有的一种进行高分辨电学表征的新技术。sMIM能够精确的探测材料微纳区域内电容和电阻的变化，能够广泛的应用各种线性和非线性的导体材料，半导体材料以及绝缘体等。和其它类似的技术相比，sMIM的横向分辨率更高(<50nm)；更灵敏的信噪比，即便是以80倍于同类技术的速度进行扫描时，其信噪比仍然高出其它技术十倍以上；此外sMIM技术中的测试功耗也要远低于同类技术。sMIM是基于PrimeNano公司的专利探针和电路系统开发而成。AsylumResearch 原子力显微镜是拥有sMIM技术的原子力显微镜。

·            更多的信息 – DC 电容, DC 电阻, dC/dV,和 dR/dV

·            更高的灵敏度 –比同类技术高十倍以上

·            更高的横向分辨率 – 小于 <50nm

·            更快的成像速度 –扫描速度比同类技术高80倍

·            更广泛的适用范围 –导体, 半导体和绝缘体

Scanning-Microwave-Impedance-Microscopy-AFM.pdf

牛津仪器Asylum Research 2014年1月15日发布新型原子力显微镜技术-扫描微波阻抗显微镜[Scanning Microwave Impedance Microscopy(sMIM)]。该技术能够以空前的灵敏度和分辨率对导体、半导体以及绝缘体等任何样品的电容和电导进行纳米成像。牛津仪器 Asylum Research一贯倡导的理念就是“超越形貌”-原子力显微镜除了能进行高分辨率的成像之外，还能对更有价值的纳米机械性能和纳米电学性能进行测试。而 sMIM就是在这一理念的最新产物，其将PrimeNano 公司的专利探针技术和电子技术与Asylum Research的原子力显微镜完美的结合在一起。牛津仪器Asylum Research的MFP-3D™ 和 Cypher™是唯一拥有sMIM技术的两款原子力显微镜。

原子力显微镜的纳米电学模式应用在微电子学的研究中已有很长一段时间，因为它能够提供设备结构，功能和失效等方面的重要信息。但是绝大多数传统AFM电学 模式存在着固有的缺陷：无法同时测试电阻和电容；样品制备复杂。而sMIM完全克服这些固有的缺陷：高灵敏度的同时测量电容(介电常数)和电导（电阻）； 同时样品的制备极为简单。正是因为这些卓越的特性，sMIM能够广泛的应用于各种材料，如铁电体、压电体以及低维纳米材料（如石墨烯、氮化硼以及二硫化 钼）等。

牛津仪器Asylum Research的应用科学家Keith Jone说：“sMIM是我在这个原子力显微镜纳米电学测试领域工作12年以来所见到的最大进展。它能够同时对电导和电容进行成像，提供更加完整的样品图像。其灵敏度和分辨率也远远高于其它相关技术。”

PrimeNano 公司的CEO Dr.Stuart Friedman 进一步解释，“PrimeNano 开发的扫描微波阻抗显微镜的核心技术是由美国斯坦福大学的沈志勋教授开发。通过专利技术的探针和为sMIM特殊优化的电路系统,能够让我们得到优于其它任 何同类技术的结果。我们非常高兴和牛津仪器Asylum Research合作开发完整的sMIM技术。因为有了世界上最好的原子力显微镜，sMIM的功能将变得更强大。”

更多信息敬请参阅http://www.AsylumResearch.com/sMIM 或邮件sales@asylumresearch.com

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