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产品参数:
半导体行业技术参数:
Helios 5 CX
Helios 5 HP
Helios 5 UX
Helios 5 HX
Helios 5 FX
样品制备与XHR扫描电镜成像
最终样品制备(TEM薄片,APT)
STEM亚纳米成像与样品制备
SEM
着陆电压
20ev-30kev
分辨率
0.6nm@15kev
1.0nm@1kev
0.6nm@2kev
0.7nm@1kev
1.0nm@500ev
STEM
分辨率@30kev
0.7nm
0.6nm
0.3nm
FIB制备过程
最大材料去除束流
65nA
100nA
最终最优抛光电压
2kv
500v
TEM样品制备
样品厚度
50nm
15nm
7nm
自动化
否
是
样品处理
行程
110×110
×65mm
150×150
×10mm
100×100
×20mm
100×100×
20mm+5轴(S)TEMCompustage
负载锁
手动
自动
自动+自动插入/提取STEM杆
材料科学行业技术参数:
离子光学
具有优越的高电流性能的Tomahawk HT 离子镜筒
具有优越的大电流和低电压性能的Phoenix离子镜筒
离子束电流范围
1 pA – 100 nA
1 pA – 65 nA
加速电圧
500 V – 30 kV
最大水平视场宽度
在光束重合点时为0.9 mm
在光束重合点时为0.7 mm
离子源寿命
1,000 hours
两级差动泵
飞行时间矫正
15孔光阑
电子光学
Elstar超高分辨率场发射镜筒
磁浸没物镜
高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流
电子束分辨率
最佳工作距离下
0.6 nm at 30 kV STEM
0.6 nm at 15 kV
0.7 nm at 1 kV
1.0 nm at 1 kV
1.0 nm at 500 V (ICD)
0.9 nm at 1 kV 减速模式*
在束流重合点
1.5 nm at 1 kV 减速模式* and DBS*
1.2 nm at 1 kV
电子束参数
电子束流范围
0.8 pA to 176 nA
0.8 pA to 100 nA
加速电压范围
200 V – 30 kV
350 V – 30 kV
20 eV – 30 keV
2.3 mm at 4 mm WD
探测器
Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (TLD-SE, TLD-BSE)
Elstar i镜筒内SE/BSE 探测器 (ICD)*
Elstar 镜筒内 BSE 探测器 (MD)*
样品室内Everhart-Thornley SE 探测器 (ETD)
红外相机
高性能离子转换和电子探测器(SE)*
样品室内样品导航彩色光学相机Nav-Cam Camera*
可伸缩式低电压、高衬度、分割式固态背散射探测器(DBS)*
可伸缩STEM 3+ 探测器*
电子束流测量
样品台和样品
样品台
灵活五轴电动
压电驱动XYR轴的高精度五轴电动工作台
XY
110 mm
150 mm
Z
65 mm
10 mm
R
360° (连续)
倾斜
-15° to +90°
-10° to +60°
最大样品高度
与优中心点间隔85mm
与优中心点间隔55mm
最大样品质量
样品台任意位置500 g
0° 倾斜时最大5kg
最大样品尺寸
直径110 mm可沿样品台旋转时
直径150 mm可沿样品台旋转时
优中心旋转和倾斜
产品描述:
新一代的赛默飞世尔科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 产品系列业界领先的高性能成像和分析性能。它经过精心设计,可满足材料科学研究人员和工程师对最广泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是最具挑战性的样品。
Helios 5 DualBeam 重新定义了高分辨率成像的标准:最高的材料对比度,最快、最简单、最精确的高质量样品制备,用于 S/TEM 成像和原子探针断层扫描(APT)以及最高质量的亚表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久经考验的性能基础上,新一代的 Helios 5 DualBeam 进行了改进优化,所有这些都旨在确保系统处于手动或自动工作流程的最佳运行状态。
赛默飞双束扫描电镜Helios 5 DualBeam ,Helios 5 DualBeam
赛默飞双束扫描电镜Helios 5 DualBeam 信息由北京欧波同光学技术有限公司上海办事处为您提供,如您想了解更多关于赛默飞双束扫描电镜Helios 5 DualBeam 报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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赛默飞rFlashSmart元素分析仪
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5020i型硫酸盐颗粒分析仪
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Eutech CyberScan TB 1000 浊度仪
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