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膜厚测量仪FE-3
参考价：面议
AI Agent
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参数
| 产地类别：进口 | 供应商性质：一般经销商 |
产品介绍
膜厚量测仪FE-3的特点
使用分光干涉法原理
配置高精度FFT膜厚分析引擎（专利 第4834847号）
可通过光纤灵活构筑测量系统
可嵌入各种制造设备
可实时测量膜厚
支持远程遥控，多点测量
采用长使用寿命，高稳定性白色LED光源
测量项目
多层膜膜厚解析
用途
光学薄膜（硬涂层，AR膜，ITO等）
FPD相关（resist，SOI，SiO2等）
膜厚量测仪FE-3测试实例
硬涂层膜厚分析
规格：
| 型号 | E-3/40C | F FE-3/200I |
| 测量方式 | 分光干涉式 | |
| 测量膜厚范围（ｎｄ值） | 20 nm ～ 40 μm | 3 μm ～ 200 μm |
| 测量波长范围 | 430 nm ～ 650 nm | 900 nm ～ 1600 nm |
| 测量精度 | ± 0.2 nm以内 *1 | - |
| 重复精度 | 0.1 nm以内 *2 | - |
| 测量时间 | 0.1 s ～ 10 s 以内 | |
| 光斑直径 | 约 φ 1.2 mm | |
| 光源 | 白色LED | ハロゲン |
| 光纤 | 光透射接收用Y型光纤1.5 ｍ ～ 100 m | |
| 尺寸，重量 | 300（W) × 300（D） × 150（H）mm,约 10 kg | |
| 标准 | 峰谷分析，FFT分析,*适化方法解析 | |
*1 相对于VLSI 公司产膜厚标准（100nm SiO2/Si）的膜厚保证书所记载的测量保证值范围
*2 重复测量VLSI 公司产膜厚标准（100nm SiO2/Si）的统一点时的扩展不确定度（包括因子2.1）
分光干涉式晶元厚度计sf-3
半导体晶元厚度测量
适用于1600μm以下的膜厚测量
通过光学式可进行非接触，非破坏状态下进行厚度测量
通过采用分光干涉法实现高测量重复性
可高速实时进行研磨监控
实现长WD（工作距离），方便嵌入制造设备
支持在线测量时所要求的外触发
采用了*适合厚度测量的单独分析运算法则
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