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仪器简介:
应用:
-石墨烯 CVD -硅纳米线生长 -碳纳米管 CVD -SiC 外延生长
技术参数:
[ 石墨烯 Graphene CVD] 卤素灯型加热源 zei高温度: 1,000∩ 石英管 极限压力 : 5*10-3Torr 真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 过程控制 : 手动控制(option - PC自动控制) [碳纳米管CVD] 卤素灯型加热源 zei高温度:1,000∩ 石英管 ICP 型等离子源 RF 功率: 1kW @13.56MHz, 自动匹配控制 MTR 型 loadlock chamber 极限压力 : 5*10-3Torr 真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 过程控制 : PC 自动控制 [ SiC 外延生长] 高频感应型加热源 zei高温度: 2,400∩ 石英管 Graphite susceptor 极限压力: 5*10-3Torr 真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 过程控制 : PC 自动控制
碳系列 化学沉积系统 CARBO CVD,CARBO
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