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新产品气体注入系统OmniGIS II,具有一套单端口、气体源注入系统(GIS)。该系统可以允许用户在SEM和FIB里构建纳米结构,以达到以前所未有的精度、速度和可用性。
在扫描电镜或聚焦离子束样品室中,气体注入系统(GIS)直接在样品上引入了可控制的流动气体方案。气体与显微镜的电子束或离子束相互作用,可以在材料表面进行刻蚀或沉积。应用范围包括样品制备和纳米焊接,以及采用直写式光刻技术建立纳米结构,从而实现无掩模纳米图案。
OmniGIS II,牛津仪器的第二代气体注入系统,具有独特的特性,相比同行业的同类产品,它能使控制水平和准确性达到前所未见的高度。通气口可以自动识别气体源并快 速进行气体源更换,同时可以安装三种气体源和另外两种气体。设备采用“流通式”载体的方法能促进高效元素传送并快速处理,并且压力反馈控制会自动调整到大 范围真空室压力,以实现高压力下的快速处理或低压力下的高分辨率纳米图案成形。
牛津仪器OmniGIS II气体注入系统, OmniGIS II
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