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采用近红外 SLD,即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异,也可实现准确的生产线上测量。
即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度
大幅降低图案的影响
可在生产线上进行测量
自动映射整个晶片的厚度分布
SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。
SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计,SI-F80R
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