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产品概述TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。光谱响应度曲线参考图(虚线为某款国产InGaAs对比曲线) 铟镓砷探测器使用建议:■DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度; ■DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器; ■制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;型号/参数DInGaAs1700-TEDInGaAs2600-TEDInGaAs2600H-TE光敏面直径(mm)333波长范围(nm)800-1700800-2600800-2600峰值响应度(A/W)0.91.21.3D*(典型值)8.4×101344.9×10114.5×1011NEP(典型值)3.2×10-155.5×10-136×10-13温控器型号ZTCZTCZTC-H探测器温度(℃)-40-40-20温度稳定度(℃)±0.5±0.5±0.5环境温度(℃)+10~+40+10~+40+10~+40信号输出模式电流电流电流输出信号极性正(P)正(P)正(P)匹配前置放大器型号ZPA-7ZPA-7Preamplifier
DInGaAs(x)-TE光谱部件卓立汉光,DInGaAs(x)-TE
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