原子层沉积(ALD)PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200高级版Picosun(Picosun)

PICOSUN原子层沉积系统ALDR-200高级版（PICOSUN™ALDR-200Advanced）
名称：原子层沉积系统
产地：芬兰
Picosun简介
Picosun是一家全球公司，总部位于芬兰的Espoo，生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。
PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强，其客户包括最大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球领先的大学。Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引领行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。
PICOSUN™R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
PICOSUN®R-200高级PICOSUN®R-200AdvancedALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。群集工具，Picoflow™扩散增强剂，卷对卷室，RGA，UHV兼容性，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，用于惰性装载的手套箱集成PICOSUN®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的全球市场领导者，已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。敏捷的设计实现了最高质量的ALD薄膜沉积以及最终的系统灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在最具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。PICOSUN®R-200Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学品前体源。高效且获得专利的远程等离子选项可实现金属沉积，而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱，UHV系统，手动和自动装载机，集群工具，粉末仓，卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起，无论您现在或将来的研究领域如何，都可以高效，灵活地进行研究，并获得良好的结果稍后。
（*）等离子发生器技术特点：
- 远程等离子源安装到装载室并与反应室连出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器
- 商用微波等离子体发生器，具有300–3000W可调功率，2.45GHz频率
- 保护气体在中间空间中流动（无等离子体物质的反向扩散）
- 在相同的沉积过程中，等离子体和热ALD循环的可能性，而无需对系统进行硬件更改
技术指标
- 衬底尺寸和类型50–200mm/单片最大可沉积直径150mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺）
- 156mmx156mm太阳能硅片
- 3D复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳）
- 粉末与颗粒（配备扩散增强器）
- 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
- 工艺温度50–500°C,可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60°C）
- 基片传送选项气动升降（手动装载）
- 预真空室安装磁力操作机械手（Loadlock）
- 前驱体液态、固态、气态、臭氧源4根独立源管线，最多可以加载6个前驱体源
- 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气导入前驱体瓶内引出
- 重量350kg
- 尺寸（WxHxD)）取决于选件最小146cmx146cmx84cm最大189cmx206cmx111cm
选项PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）验收标准：
标准设备验收标准为Al2O3工艺应用领域客户使用PICOSUN™R系列ALD设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料非均匀性(1σ)：
AI2O3 (batch) 0.13%
SiO2 (batch) 0.77%
TiO2 0.28%
HfO2 0.47%
ZnO 0.94%
Ta2O5 1.00%
TiN 1.10%
CeO2 1.52%
Pt 3.41%
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