保罗 POLOS Advanced系列

仪器描述

POLOS Advanced系列匀胶机湿法刻蚀处理系统应用于电池/锂电池有特定规范与标准，应用于新能源行业领域。点击查看相关规范标准。

基片范围

3、Post-CMP Cleaning

在CMP之后，表面可能会被浆料的残留物高度污染。在用含有50nm胶体二氧化硅颗粒的浆料抛光的3''硅片上进行的测试表明，使用POLOS Advanced与ZTop MegPie兆声波换能器在1MHz左右工作，结合稀释的NH4OH，可以产生很好的清洁效果。

高度稀释（2%）的NH4OH用于增强颗粒和表面之间的静电排斥力（控制Zeta电位），以避免重新沉积和重新附着。

我们的测试案例将POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 湿法处理系统内。这个MegPie套件允许你在150毫米和200毫米的有效尺寸之间进行选择，并可选择蓝宝石或不锈钢ZTop MegPie。

POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的软件中，允许伺服控制MegPie的定位和控制前进功率。它还监测反射功率，并控制温度警报。与基体的距离由一个超声波传感器监测。

湿法刻蚀处理系统.png

二、POLOS Advanced系列湿法刻蚀处理系统技术参数

型号	POLOS 200 Advanced	POLOS 300 Advanced	POLOS 450 Advanced
基片范围	φ260mm圆片 6ʺx6ʺ方片	φ360mm圆片 8ʺx8ʺ方片	φ460mm圆片 350mmx350mm方片
程序段数	无限制*	无限制*	无限制*
操作步数	无限制*	无限制*	无限制*
旋转速度	0-12,000 rpm	0-12,000 rpm	0-1500rpm
旋转精度	±0.1 rpm	±0.1 rpm	±0.1 rpm
旋转方向	顺时针、逆时针、puddle	顺时针、逆时针、puddle	顺时针、逆时针、puddle
旋转加速度	≤30,000 rpm/sec	≤30,000 rpm/sec	≤1500rpm时取决于负载
腔体材质	NPP或PTFE	NPP或PTFE	NPP或PTFE
腔体直径	302 mm	402 mm	502 mm
外形尺寸	380 x 307 x 559mm	430 x 310 x 650mm	795 x 638 x 922mm
触屏控制	全彩触屏控制	全彩触屏控制	全彩触屏控制
设备重量	20Kg	32Kg	75Kg
电源参数	220V,50/60 Hz	220V,50/60 Hz	220V,50/60 Hz

三、可选配项

一、POLOS Advanced系列湿法刻蚀处理系统产品介绍

我们的POLOS Advanced系列湿法处理系统涵盖了广泛的工艺应用。与我们的超声MegPie和特殊的Lift-Off液结合使用，可进一步用于光阻剥离和金属剥离。此外，也可与去离子水（DiO3）中的臭氧一起使用，为Piranha ( H2SO4 H2O2)清洗提供有效的替代。

武汉月忆_匀胶显影工艺.png

Coating - Etching- Developing - Cleaning

1、Coating

（1）POLOS Advanced系列湿法处理系统适用于所有典型的旋涂工艺，该系统在特殊应用可选用高耐化学性 PTFE (TFM™)作为旋涂腔体。旋涂是制造纳米聚合物薄膜（PDMS、嵌段聚合体等）技术之一。可编程旋转速度内的加速度是很重的，因为它控制了从一个给定的溶液中可以获得的厚度。旋涂可以相对容易地从1000转以上的转速产生均匀的薄膜。

（2）POLOS Advanced系列湿法处理系统的优势在于其所采用的马达为高性能无刷电机，12,000转/分钟的旋转速度和高达30,000转/秒*的旋转加速度，使其能够快速生产从几纳米到几微米厚的均匀薄膜。

（3）POLOS Advanced系列湿法处理系统控制电机模式的旋转（顺时针/逆时针），结合可选的多达6个自动分配器，能够实现多层薄膜的均匀沉积和光阻显影。这些特点支持用全自动和高度可重复的程序配方来快速优化工艺。

2、Etching

晶圆减薄（背面研磨）的旋涂蚀刻作为晶圆减薄的后处理方法被用于集成电路和MEMS的制造，以便于：

（1）实现理想的器件厚度（IC、MEMS）；

（2）确保基于器件功能的特定厚度（MEMS）；

（3）减少垂直器件（功率器件）的基材串联电阻；

德国Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced湿法处理系统上用HNO3 / HF / CH3COOH进行旋涂蚀刻的研究证明，湿法蚀刻，作为旋涂蚀刻的执行，可以去除10微米的硅。此外，它几乎*消除了研磨引起的基材损伤的所有痕迹。该平台提供了一个相对简单且价格合理的工艺设置。该工艺比CMP快得多，它提供了一个较高的蚀刻率，并且能够直接处理背面研磨的晶圆，而不需要额外的清洗。