芯片高低温测试所需设备参数及标准

　芯片高低温测试设备性能指标保护措施：

　　1、可靠的接地保护装置

　　2、电源欠压，缺相保护

　　3、独立工作室超温保护

　　4、保护制冷机超压、过载、油压欠压；

　　5、加热器短路，过载保护

　　6、漏电保护，报警声讯提及

　　芯片高低温测试设备规格型号及技术参数：

1.温度范围：

-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-85~+150℃。

　　2.控制稳定性：±0.5℃

　　3.均匀分布：±1.5℃

　　4.正常加热时间：-+20℃~+150℃小于45分钟的非线性空载。

　　5.正常降温时间：+20~-20℃小于45分钟/+20~-40℃小于60分钟/+20~-50℃小于65分钟.

　　+20~-60℃小于70分钟/+20~-70℃小于75分钟/20~-85℃小于100分钟.

　　适用于测试:锂离子、镍氢、镍镉、铅酸、金属氢化物镍等单体电池和电池组，按标准GB897.4-200(idtiEC6086-4：2000)原电池第四部分：锂电池要求、GB897.5-2006：2005)《原电池第五部分：水溶液电解质电池要求》、IEC62133：2002年《碱性或其他非酸性电解质二次单体电池及电池组便携式密封二次单体电池及电池组要求》、IEC61951-1：2003年《含碱性或其他非酸性电解质的便携式密封可再充电电池及电池组第一部分：

　　芯片高低温测试设备执行标准：

　　1.GB10586-2006湿热试验箱技术条件

　　2.GB10589-2008低温试验箱技术条件

　　3.GB10592-2008芯片高低温测试设备技术条件

　　4.GB1158-2006高温试验箱技术条件

　　5.GBA2423.1-2001测试A：低温试验方法

　　6.GBB2423.2-2001试验B：高温试验方法

　　7.GB(T243.3-1993试验Caaaa:恒定湿热试验

8.GBDB测试/T243.4-1993：交变湿热试验方法