1. 控制样品去除材料时无机械损伤(深度压型或免除机械损坏)。 2. 通过惰性气体或反应离子选择性离子束刻蚀多晶体和不同种类材料的颗粒,相,缺陷结构。 3. 离子束斜面切割(IBSC)对于大部分试样材料(金属、合金、复合材料、半导体、陶瓷、高分子、生物材料),都可以在显微镜下精确选定的位置无损切割任何所需角度的表面。 l 界面(硬/软材料组合) l 层体系(厚、薄膜技术) l 改进近表面地区(如变形、放射或腐蚀) l 微观结构(集成电路、化学键接触) l 非大量材料(多孔材料、金属丝、粉末、独立的金属箔片)。 4. 扫描电镜中观察所用的绝缘体需通过离子束溅射镀膜覆盖来导电或为了其他原因(离子束斜面切割之前样品表面需镀膜用以保存或标明原样品表面)。