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THEIA 超快平面原子层沉积系统
THEIA 是一款高性能,稳定,灵活,可靠且安全的研发型原子层沉积系统,兼具工业生产解决方案的优势。THEIA 可进行升级改造,从而满足科学研究的各种需求,并实现从“研发”到“生产”的无缝衔接。
产品规格
1. 专利技术 SMFD-ALDTM 超快沉积:12-30 nm/min
2. 低维护周期:平均每 50 μm 沉积后维护一次
3. 专利阀门:可实现 <1ms 开关控制,寿命可达 1 亿次循环,在 220℃ 下长期稳定工作
4. 薄膜不均匀度 <1%
5. 可容纳 3 片 75-300mm 基片,300×300×10mm 的腔室
产品特点
THEIA 解决了困扰 ALD 工艺多年以来的问题:效率与维护。ALD 虽然拥有较好的膜厚控制与均一性,但因为效率不高,市场容量仍然低于 CVD。Forge Nano 拥有 SMFD-ALDTM 超快沉积技术,可实现最快 12-30nm/min 的沉积效率,将 ALD 沉积效率提升到新的高度。同时实现前驱体高利用率以及低维护成本,与 CVD 相比,THEIA 的集成减排设计可以实现污染物“零排放”,避免了环境污染问题,节约大量成本,为 ALD 工艺提供了新的参考标准。
THEIA超快平面原子层沉积系统,THEIA
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随着低成本和环保能源需求的不断增加,可充电锂离子电池(LIB)作为可靠的储能设备在电动汽车、便携式电子设备和空间卫星中扮演着重要角色。电池活性组件包括正极、负极、电解质和隔膜,在锂离子电池功能中发挥着重要作用。锂离子电池
粉末原子层沉积技术如何实现又有哪些优势呢?粉末原子层沉积包覆技术,目前已广泛应用于锂电、催化、金属、制药等领域。那么,低成本的规模化粉末原子层沉积包覆技术是如何实现的呢?Forge Nano 目前已开发出成熟的商业化粉末
粉末技术经过多年的发展,已经形成多样化的制备及加工技术。其中,表面包覆技术作为提升粉末物理化学性能的重要手段,长期以来一直缺乏有效的精密手段。与传统的表面改性不同,粉末原子层沉积技术PALD 是真正可以实现原子级/分子层
什么是原子层沉积ALD技术?原子层沉积(ALD)技术基于自限制性的化学半反应,是将被沉积物质以单原子膜的形式一层一层的镀在物体表面的薄膜技术。与常规的化学气相沉积不同,原子层沉积将完整的化学反应分解成多个半反应,从而实现
THEIA超快平面原子层沉积系统
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