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最高温度 | 3000 | 仪器类型 | 单晶炉 |
德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度,晶体生长腔压力可达300bar,甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。
应用领域 适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。 |
耐高温、耐高压、高真空、 高透光率、拆装简便的样品腔 | 由德国弗劳恩霍夫应用光 和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面, 镜体位置可由高精度步进马达控制调节 |
光阑式光强控制器 更方便地调节熔区温度,延长灯泡寿命 | 仿真化触屏控制软件 界面友好,操作简单 |
熔区测温选件测温技术 可实时监测加热区温度 | 多路独立气路控制选件 可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力, 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应 |
气体除杂选件 可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm | 退火选件 可对离开熔区的单晶棒提供 高达1100℃退火温度和高压氧环境 |
SciDre单晶炉特点
● 采用垂直式光路设计
● 采用高照度短弧氙灯,多种功率规格可选
● 熔区温度:>3000℃
● 熔区压力:10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选
● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选
● 采用光栅控制技术,加热功率从0-100% 连续可调
● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境
● 丰富的可升级选件
SciDre单晶炉技术参数
熔区温度:高达2000 - 3000℃以上
熔区压力:高至10、50、100、150、300 bar可选
熔区真空:1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选
熔区气氛:Ar、O2、N2等可选
气体流量:0.25 – 1 L/min流量可控
氙灯功率:3kW至15kW可选
料棒台尺寸:6.8mm或9.8mm可选
拉伸速率:0.1-50mm/h
调节速率:0.6 mm/s
拉伸尺寸:130mm,150mm,195mm可选
旋转速率:0-70rpm
用电功率:400V三相 63A 50Hz
主机尺寸:330cm*163cm*92cm (不同规格略有差异)
发表文章
1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 136916
2. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 104104
3. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 355
4. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1?xSrxNiO2 and Nd1?xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 084409
5. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 195122
6. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 324
7. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 125157
8. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 024204
13. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–869
18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.
23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)
24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)
25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)
30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growt·h of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.
32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)
用户单位
中国科学院物理研究所
中国科学院固体物理研究所
北京师范大学
中山大学
南昌大学
上海大学
SciDre高温高压光学浮区炉,HKZ
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近期,德国Scientific Instruments Dresden GmbH(下文简称:ScIDre)公司生产的HKZ系列高温高压光学浮区炉在中国电子科技集团公司第九研究所顺利完成安装调试。 图1:德国ScIDre制造商工程师安装现场图片图2:设备运行、调试现场图片 光学浮区法单晶生长工艺具有无需坩埚、无污染、生长快速、易于实时观察晶体生
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近日,德国ScIDre公司推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉在中国科学院物理研究所怀柔园区材料基因组研究平台顺利完成安装调试。HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃甚至更高的生长温度,晶体生长腔大压力可达300 bar,低可实现10-5 mbar的高真空,适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。ScIDre单晶炉技术特点:► 采用垂直式光路设计► 采用高照度氙灯,多种功率规格可选► 熔区温度
浮区法单晶生长技术在晶体生长过程中具有无需坩埚、样品腔压力可控、生长状态便于实时观察等诸多优点,目前已被公认为是获取高质量、大尺寸单晶的重要手段之一。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。Quantum Design中国新引进的高性能激光浮区法单晶生长系统,传承了日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念
[报告简介]浮区法单晶生长技术通过固-液过程实现单晶生长,由于其晶体生长过程中无坩埚污染、生长状态便于观察、可获得大尺寸优质单晶等诸多优点,目前已被广泛应用于各种超导材料、磁性材料、铁电材料、热电材料、光学晶体等诸多研究领域。尤其近年来德国ScIDre公司新发展的高温高压光学浮区法单晶生长系统可实现3000°C高温及300bar高压;同时,加利福尼亚大学的Stephen D. Wilson等人近期与ScIDre公司合作搭建了设计压力高达1000bar的浮区
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