大型仪器rie刻蚀
牛津仪器等离子体技术公司宣布与沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）核心实验室达成一项重要协议。根据该协议，KAUST将受益于增加两个牛津仪器PlasmaPro100 Cobra原子层蚀刻（ALE）系统，以增加其现有的牛津仪器FlexAL原子层沉积（ALD）能力。PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行......
我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。PlasmaPro 100 ALE 的特点:准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工......
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。PlasmaPro 100 ALE ......
PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件材料刻蚀提供精确的工艺控制。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。PlasmaPro 100 ALE 的特点:准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/......
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀A......
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 Estrelas产地:欧洲PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高......
PlasmaPro100Estrelas平台旨在满足微电子机械系统（MEMS）、先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求，提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位灵活性。PlasmaPro100Estrelas考虑到研究和生产的市场发展，提供了工艺灵活性，包括光滑侧壁工艺、高刻蚀速率的腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀等广泛的应用领域。此外，该平台还改善了重复性，......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷......