光电探测器 技术指标

仪器简介:     ◆ 侧窗式,具有电、磁、光屏蔽   ◆ 可与我公司生产的光谱仪系列、样品室等匹配连接   ◆ 通过标准BNC插头输出信号   ◆ 通过专用耐高压BNC插头输入稳定高压   ◆ 可内置多种型号的侧窗型光电倍增管    技术参数:     ■ ......

仪器简介:     硅光电探测器(Si)   ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm    技术参数:     型号列表及主要技术指标:   技术指标\型号名称         ......

产品概述光电探测器是利用具有光电效应的材料制成的将光辐射信号转变成电信号的传感器。大部分光电探测器在一定的光谱区域内具有较强的光谱选择性,所以光电探测器的光谱响应度在不同波长是不同的。因此光谱响应度是表征光电探测器性能的一个重要参数指标。另外,对于光电材料的科研工作,通过测量并分析光电材料的光谱响应度数据,可以进一步得出材料本身的各项特性,从而对于优选材料、......

产品概述DSi系列硅光电探测器——室温型探测器,使用范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:● DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器● DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器● 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用  两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图 型号列表及主要技术指标:技术指标\型......

光电探测器APD

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LaserComponents 探测器/模块

型号:光电探测器APD

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光电探测器-APD自Laser Components公司成立以来,已经有多年的APD研发和生产经验。目前LC公司可以提供高中低档的各型APD探测器及附件。Si-APD 主要型号及参数 型号 SAE230VX SAE500VX SAE230NX SAE500NX SAR500X/ SAR15......

黑硅光电探测器

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ELFYS 探测器/模块

型号:黑硅光电探测器

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ElFys 提供一系列高性能黑硅光电二极管。该光电探测器是通过采用表面纳米结构技术与原子层沉积涂层相结合,大大提高了光收集效率。在 200 nm 至 950 nm 范围内具有近乎完美的光响应,外量子效率≥ 96%(通过德国国家计量研究院PTB 认证)。 此光电探测器在紫外波段也同样具有极高的量子效率,比普通的硅光电二极管高出两倍以上。 黑......

Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感,主要用于10至5000μm(30THz至60GHz)的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻,进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化,这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化,所以入射辐射必......

点击查看下载红外热像仪Fluke 福禄克 TiS20+ | 产品技术指标相关资料,进一步了解产品。 TiS20+ | 产品技术指标 图像质量IR-Fusion 红外和可见光融合技术持续融合,0 % 至 100 %。为红外图像增添可视细节显示屏3.5” LCD 触摸屏(横向)显示分辨率320 x 240 LCD热灵敏度 (NETD)60 mK帧频9 Hz&n......

卓立汉光光电探测器光谱响应度标定系统 应用于光电材料领域产品概述光电探测器是利用具有光电效应的材料制成的将光辐射信号转变成电信号的传感器。大部分光电探测器在一定的光谱区域内具有较强的光谱选择性,所以光电探测器的光谱响应度在不同波长是不同的。因此光谱响应度是表征光电探测器性能的一个重要参数指标。另外,对于光电材料的科研工作,通过测量并分析光电材料的光谱响应度数......

InGaAs APD光电探测器800~1700nm光电探测器主要特性DC-250MHz带宽低噪声高增益22KV/A全金属外壳,屏蔽性能优良支持更大带宽定制800~1700nm光电探测器应用探测连续光或脉冲激光器之间的拍频信号探测超弱光信号探......

厂商新闻
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