光电探测综合实验仪
仪器简介： ◆ 侧窗式，具有电、磁、光屏蔽 ◆ 可与我公司生产的光谱仪系列、样品室等匹配连接 ◆ 通过标准BNC插头输出信号 ◆ 通过专用耐高压BNC插头输入稳定高压 ◆ 可内置多种型号的侧窗型光电倍增管 技术参数： ■ ......
仪器简介： 硅光电探测器（Si） ———室温型探测器，波长范围：200-1100nm 技术参数： 型号列表及主要技术指标： 技术指标＼型号名称 ......
1:光电倍增管综合实验仪 增管综合实验仪 光电倍增管实验仪 型号：HAD-B HAD-B型光电倍增管综合实验仪主要研究光电倍增管的基本特性，如暗电流、阴极灵敏度、阳极灵敏度、放大倍数（增益）、光电特性、伏安特性、时间特性、光谱特性等，本实验仪电路PCB板与光通路组件各占一半置于箱体内，这样不仅可以让学生对整个实验系统的光通路一目了然......
产品概述DSi系列硅光电探测器——室温型探测器，使用范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：● DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器● DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器● 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图 型号列表及主要技术指标：技术指标＼型......
光电探测器-APD自Laser Components公司成立以来，已经有多年的APD研发和生产经验。目前LC公司可以提供高中低档的各型APD探测器及附件。Si-APD 主要型号及参数 型号 SAE230VX SAE500VX SAE230NX SAE500NX SAR500X/ SAR15......
因为Bolometer测量的是温度的变化，所以入射辐射必须经过调制，这允许Bolometer被能量激发和释放，从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素，如果需要，这些参数可以在系统订购时改变。Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感，主......
卓立汉光光电探测器光谱响应度标定系统 应用于光电材料领域产品概述光电探测器是利用具有光电效应的材料制成的将光辐射信号转变成电信号的传感器。大部分光电探测器在一定的光谱区域内具有较强的光谱选择性，所以光电探测器的光谱响应度在不同波长是不同的。因此光谱响应度是表征光电探测器性能的一个重要参数指标。另外，对于光电材料的科研工作，通过测量并分析光电材料的光谱响应度数......
DSR600-PDE单光子探测器的光子探测效率标定系统介绍本系统主要用来测试和评估具有单光子灵敏度的光子计数器/ 探测器的光子探测效率（Photon Detection Efficiency，PDE）。本系统的原理是，稳恒宽带光源经过单色仪分光后输出的单色光进入积分球，积分球将光匀化后通过两个出口分别照射至大光敏面积的标准（定标后的）探测器和待测光子计数器。......
产品概述基于RTS-mini显微系统而搭建，集成拉曼/荧光/光电流原位测试功能。该系统可原位探测拉曼、荧光及光电流信号。配合高精度微米电动位移台，实现Raman Mapping，PL Mapping以及激光诱导光电流成像（LBIC)。深度表征材料内部的分子振动能级与转动能级结构信息，光生载流子的生成与复合机制，器件吸收和电荷生成的微区特性，光电材料界面以及半......