半导体带隙计算公式
中文名：硫化砷（II）英文名：Arsenic(II) sulfide纯度：≥95%货号：A467082Cas号：1303-32-8产品介绍：二硫化二砷用于合成各种物质，包括硫族沸石类似物、直接带隙半导体和硫代砷酸盐化合物。二硫化二砷还具有较强的二次谐波产生特性，适用于非线性光学应用。 应用二硫化二砷用于：合成硫代砷酸盐；合成硫族沸石类似物；合成直接带隙半导体......
中文名：氧化铜英文名：Cupric oxide纯度：PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis, powder货号：C293802Cas号：1317-38-0存储温度：室温,干燥,阴凉产品介绍：稍有吸湿性，能溶于稀酸，氰化碱或碳酸铵溶液，能缓缓溶于氨水，几乎不溶于水和醇。可根据需要，将氧化铜制成粉状、丝状等不同形状。氧化铜，别名一氧......
中文名：纳米氧化镨英文名：Praseodymium oxide纯度：≥99.5% metals basis, 50nm货号：P105311Cas号：12037-29-5产品介绍：不溶于水，易溶于无机酸，生成相应的盐类，导电性良好，在600°C时的导电性是Pr2O3的一千万倍。应用用于新型三元还原钼氧化物 Pr4Mo9O18 的固态合成，其结构含有过去未知的 ......
中文名：硒化铋(III)英文名：Bismuth selenide纯度：PrimorTrace™, ≥99.99% metals basis货号：B119288Cas号：12068-69-8存储温度：室温,充氩产品介绍：Bismuth selenide is a semiconductor thermoelectric material.Bi2Se3是一种金属......
中文名：碲化镉锌英文名：Cadmium zinc telluride纯度：PrimorTrace™ Ultra, ≥99.9999% metals basis货号：C475237产品介绍：应用一种直接带隙半导体，用途广泛，包括辐射探测器、光折变光栅、电光调制器、太阳能电池和太赫兹波产生与探测。带隙根据组成而变化，范围为约 1.4 至 2.2eV。查看阿拉丁官......
中文名：硝酸镨(III) 六水合物英文名：Praseodymium nitrate hexahydrate纯度：≥99.9% metals basis货号：P106055Cas号：15878-77-0存储温度：避光,室温,充氩产品介绍：易溶于水和醇，在潮湿空气中易潮解。用于三元催化剂，化学试剂等其它行业。 硝酸镨(III)六水合物常用于制作电子元件，包括陶......
深紫外宽禁带半导体荧光测试系统OminFluo990-DUV产品概述一、什么是宽禁带半导体呢?固体的能带结构主要分为导带、价带和禁带三部分，原子中最外层电子称为价电子，价电子所占据的能带称为价带；比价带能量更高的允许带称为导带；在价带和导带之间的范围是电子无法占据的，这一范围称为禁带。材料想要导电，就需要价带中的电子跃迁到导带中，形成可以自由移动的电子。电子......
中文名：碲化镉锌英文名：Cadmium zinc telluride纯度：≥99.999% metals basis货号：C770242存储温度：室温产品介绍：一种直接带隙半导体，用途广泛，包括辐射探测器、光折变光栅、电光调制器、太阳能电池和太赫兹波产生与探测。带隙根据组成而变化，范围为约 1.4 至 2.2eV。查看相关系列：无机盐 | 盐和无机物 ......