光谱技术提高宽禁带半导体生产的良率！| 全球直播

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等宽禁带半导体材料，正成为电力电子、光电子及量子技术领域的明星材料。然而，这些材料的性能极易受到内部应力、应变及生长加工缺陷的影响。如何精准表征这些“隐形杀手”，成为研发与生产效率提升的关键。

光谱技术基于其快速、无损、高分辨等特点，已经成为半导体材料表征的有力手段。其中，拉曼光谱技术可以捕捉晶体质量、应变引起的声子位移及温度效应，为工艺优化提供依据；光致发光技术可以揭示材料电子和光学特性、杂质与缺陷密度，快速判断器件光学性能；时间分辨光致发光技术可以表征材料的载流子寿命，提高器件的工作效率与性能稳定性；阴极荧光光谱技术可以对材料的禁带宽度、杂质、缺陷、应力和化学组成等进行分析，优化材料性能。

本次线上讲座特别邀请了 HORIBA 材料和半导体应用科学家 Michelle Sestak 博士和应用科学家 Praveena Manimunda 博士，带您深入解析拉曼光谱、光致发光、时间分辨光致发光及阴极荧光等光谱技术，直击影响半导体材料生产良率的关键问题。

扫描下方二维码，让我们跟随二位专家，开启半导体材料表征的探索之旅！