谱育科技三重四极杆ICP-MS，助力推动半导体产业国产化进程

中电化合物半导体有限公司成立于2019年11月，致力于开发、生产宽禁带半导体材料的高科技企业。主要聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售。

谱育科技作为国产高端科学仪器制造商，与中电化合物的如期而遇，助力推动半导体供应链本土化进程，驱动质谱仪器国产化替代加速发展。

EXPEC 7350 三重四极杆ICP-MS在中电化合物顺利完成安装、调试、培训工作，现场测试检出限、稳定性、氧化物产率、双电荷离子产率等仪器性能参数等均通过了客户验收。

随着半导体器件性能的持续提高，对杂质的控制要求也更加严格。国际半导体设备与材料产业协会 (SEMI) 发布了有关高纯试剂性能指标的标准, 规定绝大多数杂质元素的含量不超过10 ppt。

然而使用传统单四极杆ICP-MS分析时，氩气及样品基体产生会多原子离子干扰，仅靠碰撞模式很难对痕量的目标元素准确定量。

新一代的EXPEC 7350的MS/MS模式中，通过第一组四极杆Q1控制进入碰撞反应池的离子，从而使反应池内的化学反应向预测的方向进行，第二组四极杆 Q2 只筛选反应后目标产物离子，轻松化解分析过程中的疑难杂症，是痕量元素分析的优质解决方案。

除此之外，EXPEC 7350引领革新的垂直等离子体设计，可大幅度减少炬管中盐分的累积，延长炬管使用寿命。同时将EXPEC 7350与冷等离子体技术、标准加入法等相结合，可解决半导体行业多种高基质样品的痕量污染元素分析难题。

建立了检测SiC样品表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱法。

选取6寸硅片样品，经过前处理后，使用EXPEC 7350检测后进行定量分析。此方法检出限为1.33E+07~3.24E+08 atoms/cm²，远远低于5E+10 atoms/cm²的产品限量，各线性范围在1-300ng/L浓度范围内相关系数大于0.999。该方法检出限低，灵敏度高，能够对SiC样品表面金属杂质含量准确定量，符合行业测试需求。

6寸SiC片表面金属杂质限量与方法检出限

部分标准曲线（以硅片提取液为基底）：

谱育科技EXPEC 7350 三重四极杆ICP-MS持续在半导体产业链应用并在生产线端通过验证，是高端科学仪器在半导体产业链实现国产替代的重要发展节点。

未来谱育科技会在科学仪器领域继续加大中高端科学仪器的研发生产力度，推动产品技术革新，加速科学仪器在半导体领域的国产替代化进程，引领国内无机元素痕量分析技术发展。