Nat. Photon. 浙大余学功&杨德仁院士:1cm²叠层新纪录33.86%!运行稳定2000h 90%效率保持率

2025-11-04 14:45:26 光焱科技股份有限公司




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研究背景与挑战

01

钙钛矿-硅叠层太阳能电池因能隙互补性成为光伏领域重点发展方向,但效率瓶颈在于宽能隙钙钛矿层与自组装单分子层(SAM)空穴传输层间的埋藏界面


传统SAM材料(如2PACz)与钙钛矿前驱体溶液结构和能量不匹配,导致结晶动力学失控,在埋藏界面形成纳米级空隙和PbI2聚集等深能级缺陷,显著加剧非辐射复合,限制了器件开路电压和操作稳定性。


这项研究由来自浙江大学余学功、杨德仁院士、雷鸣、黄平捷教授,及晶科能源等机构的学者共同合作完成,发表在期刊nature photonics。研究团队设计并合成了一种新型的SAM分子DMPP[4-(3,6-bis(3,5-dimethoxyphenyl)-9H-carbazol-9-yl)phenyl]phosphonic acid)。DMPP分子结构经过优化,具有刚性共轭连接体和位于间位(meta-sites)的甲氧基(-OCH3)官能团。DMPP的设计旨在提升分子排列的有序性,并提供与钙钛矿晶格结构更佳的几何匹配。通过这种界面工程,成功抑制了缺陷的形成,增强了界面电子耦合。最终,基于DMPP的单片式钙钛矿-硅叠层电池在1 cm²面积上实现了33.86%的光电转换效率(认证值为33.59%),同时展现出在连续1太阳光照下运行2,000小时后,效率仍能保持90%以上的卓越稳定性(图4d.S31


QFLS表征与载流子动力学解析

02


光致发光量子产率(PLQY)与QFLS损失评估

研究团队通过测量钙钛矿薄膜的光致发光量子产率(PLQY,直接评估了非辐射复合的严重程度,并预测了QFLS损失的改善。(图2j

数据结果: 沉积在DMPP上的钙钛矿薄膜的PLQY约为0.49%。相比之下,沉积在2PACz上的薄膜PLQY仅为0.08%DMPPPLQY提高了约六倍

QFLS损失: 根据PLQY数据预测,采用DMPP的器件,VOC损失(即QFLS损失)减少了约47 mV。在图表上,2PACz器件的QFLS损失约为185 mV,而DMPP器件则降至约138 mV。这一数据直接证实了DMPP界面工程有效地抑制了非辐射复合。


载流子复合动力学与缺陷分析

瞬态吸收光谱(TAS)与载流子寿命: 研究利用TAS来定量分析界面载流子复合动力学。沉积在DMPP上的钙钛矿薄膜显示出超过两倍的载流子寿命。通过计算,DMPP-钙钛矿界面的复合速度(S)为320 cm/s,显着低于2PACz界面的854 cm/s。这清楚表明,DMPP界面工程显着减缓了载流子在埋藏界面处的复合速率。(图2i






PL映射与均匀性:

原位PL监测结晶: 在热退火过程中,研究团队进行原位PL监测。结果显示,DMPP基板上的钙钛矿PL强度延迟至167.6 s才稳定,远慢于2PACz上的49.5 s。这种延迟的结晶动力学(图2a使溶剂有更充足的时间蒸发,最终获得更均匀且缺陷更少的薄膜。

微区PL映射与卤素均匀性: 为了评估卤素偏析,研究团队使用微区PL映射(利用740 nm780 nm带通滤光片区分Br-富集和I-富集相)。经过1天光照后,2PACz界面剥离的钙钛矿层显示出显着的I-富集相信号,表明严重的卤素偏析。相反,DMPP界面的薄膜保持了均匀的卤素分布。这项结果直接将界面缺陷与运行中的离子迁移和相分离问题联系起来,并强调了DMPP界面稳定的优势。(图3e

QFLS在研究中扮演了核心角色,不仅作为高效能器件的理论指标,而且通过量化光电性质的改善(PLQY提升、载流子寿命延长),提供了DMPP成功钝化埋藏界面深能级缺陷的直接电学证据。

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光电性能表征

研究团队使用了EnliTech SS-F5-3A太阳光模拟器(SS-X进行电流-电压(J–V)曲线测量。J–V曲线是在AM1.5G标准光照条件下获得的。

对于1 cm²的钙钛矿-硅叠层太阳能电池,J–V曲线的扫描范围设置为2.0 V-0.1 V(反向扫描)和-0.1 V2.0 V(正向扫描),每个步骤的步长为0.013 V,停留时间为10 ms。最终结果显示,基于DMPP的叠层电池在反向扫描下取得了33.86%的冠军效率。(图4d.S31

通过J–V统计分析(图4b),DMPP器件的各项参数中位数均优于2PACz器件,其中开路电压(VOC)为1.97 V2PACz1.94 V),填充因子(FF)为83.01%2PACz79.07%)。VOCFF的提升归因于DMPP-钙钛矿界面复合损失的减少,这与前述的QFLS分析结果高度吻合。


外部量子效率(EQE)测量则用于确定光电流密度(JSC)的匹配情况。对于DMPP叠层器件,通过EQE积分得到的钙钛矿子电池和硅子电池的JSC分别为20.82 mA/cm²20.64 mA/cm²,显示出良好的电流匹配。在EQE测量过程中,采用了特定波长的偏置光以模拟短路条件。(图4c


结论与研究成果

03

此研究通过精确的界面工程,成功解决了钙钛矿-硅叠层太阳能电池中埋藏界面缺陷和非辐射复合的关键问题。以下为此研究所获得的主要成果:

I. 界面设计与结晶动力学调控

  • 新型SAM分子DMPP开发: 设计合成新型SAM分子DMPP,具备刚性共轭连接体和位于间位(meta-sites)的甲氧基(-OCH3)官能团。(图1b

  • 分子排列优化: DMPP形成紧密且垂直排列的分子阵列,并提供与钙钛矿晶格更佳的几何匹配,优于2PACz的混乱取向。

  • 结晶速率延缓: DMPP界面显着减缓钙钛矿结晶速率。原位PL监测显示,DMPP上的稳定时间为167.6 s,远慢于2PACz49.5 s

  • 界面形貌改善: 延迟的结晶动力学促进溶剂完全蒸发,成功抑制了纳米级空隙和PbI2聚集等深能级缺陷的形成。

  • 卤素均匀性稳定: 微区PL映射证实,DMPP薄膜在1天光照后仍保持均匀卤素分布,有效抑制了光照诱导的卤素偏析。







II. 载流子动力学与QFLS量化核心贡献

  • 非辐射复合显着抑制: 沉积于DMPP上的钙钛矿薄膜PLQY0.49%,较2PACz0.08%提升约六倍。

  • QFLS损失量化降低: QFLS损失从2PACz器件的185 mV显着降低至DMPP器件的138 mV,减少约47 mV

  • 载流子复合速率降低: 瞬态吸收光谱(TAS)显示DMPP界面载流子寿命延长超过两倍,界面复合速度(S)从854 cm/s大幅降至320 cm/s

  • 深能级缺陷钝化: DMPP使陷阱态密度(tDOS)能级深度变浅约0.1 eV,证实其成功钝化埋藏界面深能级缺陷。(图3a






III. 器件最终性能与长期稳定性

  • 光电转换效率(PCE)突破: 1 cm²单片式叠层电池在反向扫描下实现33.86%PCE(认证值33.59%)。

  • 统计参数优化: 叠层器件VOC中位数达1.97 V2PACz1.94 V),填充因子(FF)中位数达83.01%2PACz79.07%)。

  • 大面积效率验证: 16 cm²叠层电池PCE达到29.25%(认证值28.53%),显示出良好的可扩展性。(图4f

  • 卓越运行稳定性: 1太阳光连续MPP跟踪下运行2,000 h后,PCE仍维持初始效率90%以上。(图4i

  • 离子迁移抑制: DMPP有效提高卤素离子迁移的活化能(Ea)至0.58 eV2PACz0.48 eV),这是器件长期稳定的关键机制。

原文信息

文章标题:Perovskite crystallization control via an engineered self-assembled monolayer in perovskite–silicon tandem solar cells

出处(期刊名称):nature photonics

出版日期:2025.10.20

DOIhttps://doi.org/10.1038/s41566-025-01778-y

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