卓立汉光常温型铟镓砷探测器

仪器描述

产品概述

常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器），包含三种型号，每种型号都有其特定的元件特性。

DInGaAs1650型

• 内装国产InGaAs元件

DInGaAs1700-R03M型

• 内装进口InGaAs元件

DInGaAs2600-R03M型

• 内装进口大面积InGaAs元件

光谱响应度曲线参考图未详细展示，但提供了各型号的性能指标参数。

型号列表及主要技术指标

型号/参数	DInGaAs1650	DInGaAs1700-R03M	DInGaAs2600-R03M
光敏面直径(mm)	3	3	3
波长范围(nm)	800-1700	800-1700	800-2600
峰值响应度(A/W, 最小值)	0.85	0.9	1.1
最大暗电流(nA)	200	100	1m
A*值(典型值)	-2.3×1012	4.1×1010	-
NEP(典型值)	-1.2×10-13	-6.5×10-12	-
阻抗(MΩ)	11.5	320Ω	-
电容(pF)	1500	800	9000
响应时间(ns)	160	100	1μs
信号输出模式	电流	电流	电流
信号输出极性(P)	正（P）	正（P）	正（P）

 

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卓立汉光常温型铟镓砷探测器,常温型铟镓砷探测器

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