卓立汉光 DInGaAs(x)-TE

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TE制冷型铟镓砷探测器（DInGaAs探测器）

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AI问答

可以做哪些实验，检测什么？可以用哪些耗材和试剂？

TE制冷型铟镓砷探测器（DInGaAs探测器）

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仪器相关信息

仪器描述

TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。光谱响应度曲线参考图（虚线为某款国产InGaAs对比曲线）。

在接入示波器、锁相放大器等电压输入信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换为电压信号。标明可输入电流信号的信号处理器也可直接接入，但建议增加前置放大器以提高探测灵敏度。
当配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故不再需要另行选配前置放大器。
对于制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器，在制冷模式下须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

型号/参数	DInGaAs1700-TE	DInGaAs2600-TE	DInGaAs2600H-TE
光敏面直径 (mm)	3	3	3
波长范围 (nm)	800-1700	800-2600	800-2600
峰值响应度 (A/W)	0.9	1.2	1.3
D*（典型值）	8.4×10¹³	44.9×10¹¹	4.5×10¹¹
NEP（典型值）	3.2×10^-15	5.5×10^-13	6×10^-13
温控器型号	ZTC	ZTC	ZTC-H
探测器温度 (℃)	-40	-40	-20
温度稳定度 (℃)	±0.5	±0.5	±0.5
环境温度 (℃)	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信号输出模式	电流	电流	电流
输出信号极性	正（P）	正（P）	正（P）
匹配前置放大器型号	ZPA-7	ZPA-7	Preamplifier

TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有良好的光谱响应度和温度稳定性，在不同的应用场合下，用户可以根据具体需求选择合适的型号，并按照使用建议进行操作。产品参数详细列出了各型号的性能指标。

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