卓立汉光DSi系列硅光电探测器

产品概述

DSi系列硅光电探测器为室温型探测器，使用范围从200nm至1100nm。

• 型号：DSi200：紫敏硅光电探测器；DSi300：蓝光增强型硅光电探测器

外观与内部配置

两种型号的探测器外部相同，但内部组件不同。

• DSi200：内装进口紫敏硅光电探测器
• DSi300：内装进口蓝光增强型硅光电探测器

推荐使用设备

I-V放大器（型号：ZAMP）被推荐用于配合两种型号的探测器。

光谱响应度曲线图

型号列表及主要技术指标

性能指标

• 典型波长响应度：@254nm，DSi200为0.14 A/W (>0.09 A/W)；@410nm，DSi300为0.20 A/W (>0.15 A/W)
• 响应时间：5.9 μs
• 工作温度范围：-10～+60℃
• 储存温度范围：-20～+70℃
• 分流电阻（RSH）：>10 MΩ (>5) (>10)
• 等效噪声功率（NEP）：4.5×10⁻¹³ W/√Hz (DSi200), 2.0×10⁻¹³ W/√Hz (DSi300)
• 大操作电流（@0V bias）：0.1 mA
• 结电容（@0V bias）：4500 pF, 8800 pF

使用建议

为了提高探测灵敏度，特别是在接入示波器、锁相放大器等需要电压输入的信号处理器前，我们推荐采用I-V跨导放大器做为前置放大。然而，在与DCS300PA数据采集系统配合使用时，由于双通道已集成信号放大器，因此可以不额外配置前置放大器。