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牛津仪器硅漂移探测器X-MaxN适用于Power Semiconductors项目,参考多项行业标准Oxford Instruments。可以检测Power Semiconductors等样品。可应用于电子/半导体行业领域。
失效分析
仪器简介:
X-MaxN 的晶体尺寸从适合于微米分析的20 mm2到纳米材料分析专用150 mm2的共四种可选。尤其是150 mm2为当今晶体面积zei大的探测器,分析速度至少是普通探测器的两倍。
总览
探测器晶体尺寸可选,分别为150 mm2,80 mm2,50 mm2,20 mm2
无论晶体面积或大或小,X-MaxN 的分辨率始终如一的好——并符合标准ISO15632:2012
无论晶体尺寸如何,能谱仪外管尺寸及在电镜中的位置完全一致,确保相同条件下,计数率的增加只源于晶体尺寸的增加
强大的低能端分析,所有晶体面积的能谱仪均保证由Be开始
与上一代X-Max同,无论SEM或FIB均使用同一界面
X-MaxN 的晶体面积有20mm2, 50mm2, 80mm2 and 150mm2 –其中150mm2 是当今晶体面积zei大的能谱仪
因其独特地外置型FET场效应管设计,X-MaxN 的分辨率完全不受晶体面积变化的影响始终如一,且保证全部具有优异的低能端检测性能
探测器外管尺寸相同,意味着相同条件下,计数率仅与晶体面积有关
保证所有晶体面积的能谱仪均具有优异的能量分辨率
出众的低能端分析性能,保证所有尺寸的能谱仪皆可探测到Be元素
使用大面积能谱仪意味着:
低束流下有足够的计数率
尽可能高的实现图像的可视性及准确性
无需为能谱分析改变SEM的条件
在相同束流下,极大地提高计数率
缩短采集时间
统计性更高
实现小束斑下的能谱分析
提高能谱检测的空间分辨率
尽可能体现高分辨电镜的优势
晶体面积越大,X-射线计数效率越高相同条件下,晶体面积越大:
以前需要几分钟完成的工作,现在仅需要几秒钟——面/线分布更易获得
采集时间相同,可极大地提高分析精度及统计性
大面积能谱仪——快速获得所有显微分析结果
优异的低能端分析性能X-MaxN 为低能端元素的分析做了巨大的优化——无论何种尺寸,均前所未有的表现出优异的低能端分析性能
所有尺寸的能谱仪均可保证检测到Be,可获得SiLI峰的面分布
超大面积的能谱仪——均具有优异的低能端分析性能
优异的空间分辨率高空间分辨率,X射线扩展区域更小
大面积能谱仪可以在低加速电压及低束流下采集X-射线
纳米尺度的特征可以更好的被检测到
超大面积的能谱仪——使高级的纳米分析成为可能
150 mm2 的能谱仪比小晶体面积的优势在哪里?举例为证。加速电压20kV,束流不到2nA时,150 mm2 的能谱仪每秒即可输出200,000的计数。而使用10 mm2 的能谱仪时,需要近20nA下才可达到相同的计数率。
下图显示不同束流下的典型计数率,20kV下分析纯Mn时,探测器检出角30°且距样品45mm。使用大面积能谱仪,无需增加束流即可极大地增大计数率。也就是说在低束流下,保证高空间分辨率及低辐照损伤的同时可以获得足够多的计数。左图显示束流增加对改善图像质量的影响。
点击图像可查看大图
当使用晶体面积小的能谱仪,需要高束流来满足足够的计数率,但会损害空间分辨率。超大面积能谱仪X-MaxN 150可以在低束流即高空间分辨率下获得足够多计数,因此可以成功实现纳米材料的检测与分析。
右图:纳米结构在5kV下的X-射线面分布。计数率相同时,150mm2的能谱仪所需束流更低,意味着空间分辨率足够高可以分辨出纳米尺度的变化,且极大地减弱了样品的辐照损伤。相反,10mm2的能谱仪则需要更高的束流,却会严重损害空间分辨率,使得面分布图像模糊不清。
右图:在0.2 nA, 3 kV下使用150 mm2 X-MaxN 的能谱仪对记忆合金中的纳米结构进行分析。可以观察到FeLa,NiLa及CuLa峰显示出的纳米结构分布差异,zei小可以区分出20nm宽度的结构。
硅漂移探测器EDSX-MaxN 应用于电子/半导体,X-MaxN
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