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时间分辨精细阴荧光分析系统
SEM-CL时间分辨精细阴荧光分析系统是由瑞士attolight公司设计并制造的,它是: •上实现定量测量的阴荧光分析系统 SEM-CL • 300um直径的视场
• 优于10nm的空间分辨率
• 10ps的时间分辨率
• Schottky场发射枪(连续系统)和皮秒脉冲光电枪(时间分辨模式)
• 样品温度范围:20K-300K,位移精度1nm
高性能光学与SEM系统: 简单易用,大视野,高分辨
Attolight SEM-CL系统自带有集成了光镜的扫描电子显微镜(10nm空间分辨率)。光镜被嵌入在扫描电镜的电子物镜,使两者的视场相互匹配。获取阴荧光图从未如此简单:无需调准光路,光镜的存在帮助完成了样品定位。系统经过优化,在不牺牲扫描电镜性能的同时获得了优越的阴荧光性能。它提供了一个优秀的光学光圈 (f/0.5),和在整个视场范围内恒定的高光子收集效率。同时,它工作在低电子束的能量范围内 (3-10kV),可获得更高分辨的阴荧光图。
Schottky场发射电子枪和皮秒脉冲光电子枪:
连续工作模式和时间分辨工作模式
电子枪类型是决定电镜性能的重要参数。attolight SEM-CL采用特殊设计的肖特基(Schottky)场发射电子枪,提供高亮度高相干的电子束,在样品上产生的荧光空间分辨率好于10nm。
Attolight SEM-CL系统还是个具有时间分辨选项的阴荧光分析系统,可实现无与伦比的10ps的时间分辨率。时间分辨的阴荧光分析系统将是研究光电材料载流子动力学和寿命的工具。
时间和光谱分辨的氮化硼阴荧光
ZnO纳米线上不同区域的荧光寿命研究 纳米结构在不同波长下的荧光发射区域变化
定量测量阴荧光发光
Attolight SEM-CL系统是上能实现定量测量不同样品的阴荧光发光的系统。受益于独特的设计,它能够甄别并发现超痕量杂质,以及某些在其他成像模式下不可见的晶体缺陷的能力,为研究及开发半导体材料、荧光粉、陶瓷、岩石和玻璃提供了新的可能。
GaN表面TD观测
太阳能板表面TiO2纳米颗粒观测
工作模式:
– 光学显微镜成像 – 阴荧光测绘(多色,单色和高光谱) – 二次电子测绘 – 时间分辨阴荧光(时间分辨选项) – 二次电子和阴荧光同步测绘
应用领域:
– LED的性能和可靠性 – GaN功率晶体管 – 线位错密度(TDD) – 载流子寿命和动力学 – 太阳能电池的效率 – 纳米尺度光电器件的研发
应用案例:
ZnO纳米线-阴荧光光谱分析
量子点异质结 - 阴荧光光谱测量
金刚石 - 阴荧光光谱分析
光伏材料 - 阴荧光光谱测量
时间分辨精细阴荧光分析系统,SEM-CL
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石墨烯/二维材料电学性质非接触快速测量系统
CL-STEM阴荧光分析系统
多层石墨烯及其堆垛顺序具有独特的物理特性及全新的工程应用,可以将材料从金属调控为半导体甚至具有超导特性。石墨烯薄膜的性质相对于层数及其晶体堆垛顺序有很大变化。例如,单层石墨烯表现出高的载流子迁移率,对于超高速晶体管尤为重要。相比之下,AB堆垛的双层或菱面体堆垛的多层石墨烯在横向电场中显示出可调的带隙,从而产生了高效的电子和光子学器件。此外,有趣的量子霍尔效应现象也主要取决于其层数和堆垛顺序。因此,对于大
CdTe薄膜太阳能电池由于高能量效率获得科学家广泛的关注,目前共焦显微荧光光谱经常被用于研究CdTe薄膜高转换效率载流子机制。然而时间分辨的共焦显微荧光方法由于其微米级的空间分辨率,不能完全认为CdTe薄膜晶界产生的长寿命缺陷是由于氯掺杂钝化成深度重组能级造成的。英国Durham大学Mendis教授联手利物浦大学,利用高空间分辨、能量分辨和时间分辨的阴荧光方法,表征了电子和空穴在CdTe境界的传输和空穴在晶界缺陷的长寿命束缚行为。 图
引言 InxGa1-xN(以下简称为InGaN)材料具有0.7 eV~3.5 eV可调的直接带隙能量,被广泛应用于光电子器件领域。其中,利用InGaN制备高效的蓝光或绿光发光二管(light emitting diodes,LED)是一项具有广阔前景的应用。然而,该领域的发展也不是一帆风顺,诸多挑战频频出现限制了这项技术的快速崛起。其中之一便是“Green Gap”问题,即室温下器件在绿光波段的发光效率远低于蓝光波段的发光效率。据已有报道显示,蓝
2019年9月,剑桥大学Rachel Oliver教授及其团队聚集了来自英国科学和工业界的50多名顶尖研究人员,为其全新的时间分辨阴荧光测量系统Allalin Chronos的顺利安装和交付使用举行了盛大的开幕式! 剑桥大学物理科学学院院长Lindsay Greer教授主持开幕仪式,并对这台设备获得的时间分辨阴荧光结果和应用进行了许多深入而热烈的讨论,内容涵盖了从化合物半导体材料和
群组论坛--近红外(NIR)
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