Micro-Hybrid C-MOSI 红外发射器系列

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型号概述

JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7

成本效益高的红外发射器 JSIR340-4 针对 NDIR 气体分析和其他红外测量应用，如 DIR 光谱、ATR 光谱或 PAS 光谱进行了优化。 基于 CMOS 的红外发射器的膜片温度可达 800 °C。 它使工业应用能够实现长期稳定的辐射输出，用于控制和监测在 -20 至 85 °C 环境温度下的过程气体。 硅滤光片优化了 2 至 15,5 µm 波长的辐射输出。 作为 SMD 封装，JSIR340 特别适用于自动化取放装配和高产量生产。 我们红外发射器中使用的 MEMS 芯片包含一个多层热板膜片，其中包含一个高耐温的 C-MOSI 金属层。 发射器芯片的活动面积为 2,2 x 2,2 mm²，基于硅基底，并具有背部蚀刻的膜片。 所有薄膜工艺均使用标准 MEMS 工艺和 CMOS 兼容材料。 活性 C-MOSI 电阻层受到老化和环境的保护。 我们的销售团队将很���意为您提供有关定制和批量价格的咨询。 如需更多技术信息，请参阅数据手册。

JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0

成本效益的红外发射器 JSIR340-4 针对 NDIR 气体分析和其他红外测量应用，如 DIR 光谱、ATR 光谱或 PAS 光谱。 CMOS 类型的红外发射器的膜达到高达 770 °C 的温度。 它使工业应用能够实现长期稳定的辐射性能，用于控制和监测过程气体和环境温度在 -20 到 185 °C 之间的气体。 我们红外发射器中使用的 MEMS 芯片包含多层热膜，其中包含高耐温的 C-MOSI 金属层。 发射器芯片的活动面积为 2,2 x 2,2 毫米²，基于硅基底，并采用背部蚀刻膜。 所有薄膜工艺均采用标准 MEMS 工艺和与 CMOS 兼容的材料。 活性 C-MOSI 电阻层受到保护，免受老化和环境的影响。 JSIR 340-4 发射器非常适合与我们的红外探测器一起使用。 我们的销售团队将很乐意为您提供客户特定定制和批量价格。 更多技术信息请参阅数据表。

JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0

JSIR 340-5 是一款坚固且经济高效的 MEMS 红外发射器产品变体。该产品特别为高产量应用，如建筑空调和自动化系统而开发。由于输入功率仅为 300 mW，因此该系列的发射器可用于电池供电的测量设备。由于 CMOSI 芯片的位置独立性，该发射器也适用于手持式测量设备。2 到 15 µm 的光谱带宽使该发射器可用于 NDIR 分析各种目标气体。具有 1,0 x 1,0 mm² 的活动面积和高达 710 °C 的膜温度，JSIR 340-5 发射器具有出色的热性能。这使得辐射强度高，从而提高了测量信号的分辨率。芯片膜的低热质量使时间常数仅为 6 ms。因此，客户可以获得快速的响应时间和高调制深度。IR 发射器的频率范围可定制。因此，它可与热敏元件和热电探测器一起使用，而无需任何问题。JSIR 340-5 的芯片架构可确保整个服务寿命内，无需自发故障即可实现长期稳定的性能。MEMS 发射器芯片由多层热板膜和一个高耐温金属 C-MOSI 层组成。这可以保护芯片免受老化和环境影响。为了延长红外发射器的使用寿命，我们建议降低输入功率或在可能的情况下使用反极性操作。此外，请确保红外组件免受气流、高环境湿度、灰尘和腐蚀性气体的影响。建议单独封装发射器，以抵御外部影响。JSIR 340-5 采用紧凑的 TO46 封装。它占用空间小，并且可以轻松集成到各种测量系统中。红外发射器可在 -20 °C 到 185 °C 的温度范围内工作。发射器的引脚不得弯曲。这可能会导致微裂，从而导致泄漏，进而导致测量信号漂移。欲了解更多技术信息，请参阅数据表或联系我们的销售团队。

产品特点（型号对照）

关键特性（按型号）

JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7

时间常数 15 ms，高耐久性，与我们的红外探测器完美配合

JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0

高调制深度、高辐射功率和长期稳定性、安全可靠的芯片架构、成本效益的 MEMS 红外发射器产品、光谱带宽从 2 到 15 µm

JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0

时间常数 6 ms，低输入功率 300 mW，在指定服务寿命内具有安全可靠性，高调制深度，适用于移动/电池供电设备

技术规格参数对比

Micro-Hybrid C-MOSI 红外发射器系列信息由江阴韵翔光电技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于Micro-Hybrid C-MOSI 红外发射器系列报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。