EKSMA 半导体太赫兹 GaSe、ZnTe 晶体

产品简介

半导体 THz 晶体：ZnTe（碲化锌） <110> 取向的晶体用于通过光整流过程产生 THz。光整流是在具有大二阶极化率的介质中发生的差频产生。对于具有大带宽的飞秒激光脉冲，其频率分量彼此相互作用，其差频产生从 0 到数 THz 的带宽。THz 脉冲的检测通过在另一块 <110> 取向的 ZnTe 晶体中进行自由空间电光检测实现。THz 脉冲和可见光脉冲共线传播通过 ZnTe 晶体。THz 脉冲在 ZnTe 晶体中感应出双折射，该双折射由一线性偏振的可见光脉冲读出。当可见光脉冲和 THz 脉冲同时位于晶体中时，可见光的偏振将被 THz 脉冲旋转。通过使用 λ/4 波片和分束偏振器以及一组平衡光电二极管，可以在相对于 THz 脉冲的各种延迟时间下监测 ZnTe 晶体之后可见光脉冲的偏振旋转，从而映射出 THz 脉冲的幅度。能够读出完整电场（包括幅度和延迟）是时域 THz 光谱学的吸引人特性之一。ZnTe 还用于红外光学元件基底和真空沉积。

注意： ZnTe 晶体含有微气泡，在晶体被照亮时的投影中可见。然而这不影响 THz 产生。我们不接受关于晶体中存在气泡的投诉。

GaSe（硒化镓）晶体 用于 THz 产生，显示出高达 41 THz 的大带宽。GaSe 是一种具有 62 m 点群六方结构、在 300 K 时具有 2,2 eV 直接带隙的负单轴层状半导体。GaSe 晶体具有高损伤阈值、大非线性光学系数（54 pm/V）、合适的透明范围和低吸收系数，使其成为宽带中红外电磁波产生的替代方案。由于使用亚 20 fs 激光源进行宽带 THz 产生和检测，GaSe 发射器-检测器系统的性能被认为可达到与使用薄 ZnTe 晶体相当甚至更好的结果。为了实现频率选择性的 THz 波产生和检测系统，应使用适当厚度的 GaSe 晶体。

注意： 由于材料结构，GaSe 晶体只能沿 (001) 面解理。另一个缺点是 GaSe 的柔软性和脆性。

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