Edmund 铟镓砷光电二极管（InGaAs ）

Name: Edmund 铟镓砷光电二极管（InGaAs ）
Brand: 爱德蒙特
SKU: 55-753

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品牌：爱德蒙特产地：美国型号：55-753 样本：来电或留言获取样本

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型号	品牌	PIPES指数
FHT 762	赛默飞	8.3
ATD2900	奥谱天成	8.2
IG26	LaserComponents	8.1

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参数

产地类别：进口

供应商性质：总代理

参数	值
光谱响应 (nm)	900 - 1700
1310nm时的响应度 (A/W)	0.8 minimum / 0.9 typical
1550nm时的响应度 (A/W)	0.9 minimum / 0.95 typical

产品介绍

产品简介

铟镓砷光电二极管（InGaAs ）在 900 纳米到 1700 纳米波长范围内具有极佳的响应度，有源区范围从 0.07 毫米到 3.0 毫米不等。光电二极管的有源区尺寸小于 1 毫米，在 1100 纳米到 1620 纳米波长范围内具有低电容、低暗电流和高响应度的特点，适用于高速数据通信和电信应用。光电二极管的有源区尺寸在 1 毫米及以上，具有大有源区、低噪声和高分流电阻的特点，可实现对微弱信号的高灵敏度。InGaAs 光电二极管采用 TO-46、TO-18 或 TO-5 封装，根据不同封装带有球透镜或双面增透镀膜窗口片。这些光电二极管是多种研究和 OEM 应用的理想之选，包括红外激光对准、医疗诊断和化学分析。

**请注意:** 为了确保入射光的中心位置，建议使用聚焦透镜或针孔，因为光电二极管芯片边缘的不均匀性会导致探测器响应率降低。

响应范围从 900nm 至 1700nm
小面积（高速）和大面积
另有分段式 InGaAs 光电二极管可选

通用规格

参数	值
光谱响应 (nm)	900 - 1700
1310nm时的响应度 (A/W)	0.8 minimum / 0.9 typical
1550nm时的响应度 (A/W)	0.9 minimum / 0.95 typical

型号选择

产品编号	类型	光谱响应 (nm)	有效区直径（mm)	Package
#55-753	InGaAs Photodiode	900 - 1700	0.07	TO-46
#55-754	InGaAs Photodiode	900 - 1700	0.12	TO-46
#17-071	InGaAs Photodiode	900 - 1700	0.3	TO-46
#17-073	InGaAs Photodiode	900 - 1700	0.4	TO-46
#62-271	InGaAs Photodiode	900 - 1700	0.5	TO-46
#17-075	InGaAs Photodiode	900 - 1700	1.0	TO-18
#17-076	InGaAs Photodiode	900 - 1700	1.5	TO-18
#59-140	InGaAs Photodiode	900 - 1700	3.0	TO-5

技术数据

Edmund 铟镓砷光电二极管（InGaAs ）信息由江阴韵翔光电技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于Edmund 铟镓砷光电二极管（InGaAs ）报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

仪器应用

响应范围从 900nm 至 1700nm。小面积（高速）和大面积。另有分段式 InGaAs 光电二极管可选。铟镓砷光电二极管（InGaAs ）在 900 纳米到 1700 纳米波长范围内具有极佳的响应度，有源区范围从 0.07 毫米到 3.0 毫米不等。光电二极管的有源区尺寸小于 1 毫米，在 1100 纳米到 1620 纳米波长范围内具有低电容、低暗电流和高响应度的特点，适用于高速数据通信和电信应用。光电二极管的有源区尺寸。