PEEM/光发射电子显微镜/低能电子显微镜/LEEM

FE-LEEM/PEEM4500系统是一个设备齐全的特高压分析系统，用于现代表面显微镜。所有系统的设计和制造在SPECS总部在柏林。从下订单到最终验收，一个特殊的工程小组亲自陪同系统的整个过程。我们的工程师致力于在设计，测试和现场设置过程中提供最高质量和可用性的系统。一旦系统全面运行，我们总部和全球分支机构的专业服务团队将确保系统的平稳运行。

SPECS LEEM仪器FE-LEEM 4500是下一代低能量电子显微镜，具有无与伦比的5纳米分辨率，用于动态LEEM显微镜实验。该仪器基于Rudolf Tromp博士的设计，可以实时观察表面上的纳米尺度过程。

指导SPECS FE-LEEM 4500设计的目标是用最少数量的电子光学元件实现极高的分辨率。

为了实现这一点，输入和输出的电子被一个90°磁棱镜阵列分开。这种几何形状允许简单，直观的一步一步调整所有镜头参数。磁棱镜传输LEEM图像和LEED图案像散，允许实际图像和衍射之间的常规切换。图像和LEED图案转移没有色散的负面影响，提供优越的图像和衍射能力。

复杂的能量滤波器使成像能量分辨率低至250 meV，对仪器的高空间分辨率影响最小。

FE-LEEM P90集成到UHV LEEM样品分析室中，具有样品制备和原位高温样品处理设施。

LEEM/PEEM是广泛应用于材料科学领域的高技术分析仪器，能集原位观测、超快及光电子成像于一体，即我们所称的“长眼睛的超级XPS”，能对薄膜以及二维材料、锂离子电池、钙钛矿太阳能电池材料等的表面电子行为进行实时激发、图像采集及定量分析，此外LEEM还可定量地解析各种薄膜材料在生长过程中所处的能带状态，因而可以对电子材料制备、使用和失效过程进行有效的表征，从而揭示电子材料的化学成分、能带及其价态与性能的作用机理。

LEEM与成像功能和离子溅射刻蚀相结合，可以用于固体表面元素成分及价态的面分布和深度剖析；与离子蒸镀或其他分子束外延技

术相结合，可以进行原位样品的制备及分析工作。当电子到样品的着陆能量较低时，会在样品表面发生衍射。对衍射斑点进行成像，可以获得LEED图像，得知表面晶向结构。同时可以与光阑配合，调控电子束在表面的位置与大小，进行微区LEED表征，这样就不仅可以对样品表面进行实空间成像，还可以得知样品各微观位置的晶向结构。这也是PEEM/LEEM系统独有的一大优势。因此，LEEM/PEEM在电子薄膜材料、半导体材料、纳米材料、能源、催化分析等方面具有不可替代的作用。

配置清单

技术参数：

1、主分析腔真空≤2✖10^-10 mbar，主分析腔和快速进样腔之间配有过渡腔，留有扩展接口，可用于后期与其它设备互联；

2、高精度5轴马达全自动驱动样品台，XYZ和2个Tilt方向全部马达驱动

3、高通量放电汞灯一个，用于PEEM成像

4、高温成像样品温度可达1500K；

5、磁偏转棱镜采用90度偏转，易于光路整体校正；

6、冷场发射电子枪，电子束斑直径200nm-40μm，能量分布FWHM≤0.3eV；

   空间分辨率<5nm（LEEM模式），<10nm（PEEM模式）

   像差校正：LEEM空间分辨率优于3nm

7、能量量分辨率< 250 meV;

8、样品位置稳定性<5nm，再现性<500nm；

9、软件能操控能量狭缝位置，可快速实现能量过滤成像；

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