先进制程晶圆级FIB制样及TEM分析

服务内容

先进制程芯片分析

服务范围

针对芯片制造及设计企业7 nm及以下先进制程芯片，对其金属层、M0层、FinFET等结构进行全面解析，用于验证先进制程工艺的稳定性和关键工艺节点，还可用于同类竞品分析、逆向分析等

服务背景

随着集成电路制造工艺不断提升，代表芯片制程关键节点的数字越来越小，比如从65nm，40nm芯片制程，到22nm，14nm，7nm，4nm，3nm制程。节点数字越小意味着更先进的制程，即晶体管理集成度越好、处理速度越快、功耗越低；同时也意味着芯片内部结构的复杂性增加，关键结构尺寸减小，逐步发展成一般的显微成像技术（比如光学显微镜）无法观测的纳米级尺寸。

由于TEM样品需非常薄，电子才可穿透，形成衍射图像。FIB的高效溅射可实现对样品的精细加工，因此FIB常用于TEM超薄样品的制备优化上。

我们的优势

广电计量具备消除FIB聚焦离子束窗帘效应的方法、新型框架结构法DB FIB制备热敏感型TEM超薄样品、FIB阶梯减薄法制备脆性易裂材料的超薄TEM样品、不耐辐照精细结构晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法、FIB倒切制备TEM样品的方法等专利技术，获得了高质量、无电子束损伤的TEM高分辨图像，实现了对先进制程芯片原子级分辨率的形貌表征和成分分析。

案例分享

芯片FA分析-3D TEM法