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提供一种用于异构集成和封装失效分析的超分辨率量子显微镜系统。该技术利用高灵敏度磁电流成像(MCI)提取多层信息,可深入查看集成电路内芯片堆叠的内部结构。
超分辨量子显微镜(3D磁电流显微镜)产品特点:
叠层失效的横向和深度定位
高横向/深度分辨率(分别低至200 nm和1μm)、宽视场(高达4 mm)的3D磁成像能力使我们能够为不同层创建电流图像,识别短路和真正的开路。
样品制备简单
由于磁场可不受影响地穿过cmos材料,因此需要的样品制备只是de-capping。
强大的QD软件
软件利用专门开发的机器学习和后处理算法,可在几分钟内获得结果。
室温、环境条件、稳健运行
无需特别条件即可轻松识别故障。
1. TOP image 显示了一个样品的磁场图,其中3个不同层同时位于不同深度的活动电流。层间距为85μm。
2. Left column(灰色)显示了从总图像中提取的各个单独层。
3. Right column(蓝色)显示了产生磁场的各个层内提取的电流。
超分辨量子显微镜(3D磁电流显微镜)参数指标:
系统参数
一般规格
超分辨量子显微镜(3D磁电流显微镜)信息由上海昊量光电设备有限公司为您提供,如您想了解更多关于超分辨量子显微镜(3D磁电流显微镜)报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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超分辨量子显微镜(3D磁电流显微镜)操作规程?
可以做哪些实验?
配套的耗材试剂?
使用注意事项?