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应用领域: 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA); 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO); 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN); 硅化 (Silicidation); 扩散 (Diffusion); 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing); 离子注入后退火 (Implant Annealing); 电极合金化 (Contact Alloying); 晶向化和坚化 (Crystallization and Densification); 等等…
1、可在真空,惰性气体(N2,Ar)环境下进行快速热处理; 2、zei大样品直径:4英寸; 3、zei高温度:1200℃; 4、zei高升温速度:50-80℃/秒; 5、zei高降温速度:60℃/秒 (1000℃ → 400℃); 6、温度控制精度度:±1℃; 7、zei低真空度≤8×10-3 Torr; 8、功率:红外卤素钨灯,650 W/ea ×12 lamps; 9、尺寸:500mm(W) × 400mm(D) × 500mm(H);
- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下,对样品进行快速热处理; - 温控精度高; - 适合高校或研究所科研使用; - 台式设计; - 仪器操作方便,样片装取容易; - 价格合理,高性价比;
快速退火炉,RTP-1300
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ASHRAE EQUIP IP CH 32-2008 马弗炉
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JC/T 642-1996 电阻炉炉管
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EJ/T 20218-2018 热释光退火炉
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