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发布时间:2024年04月
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探针法;
SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探针法>>
1.电阻率:10^-7~2×10^7Ω-cm2.电 阻:10^-7~2×10^7Ω
3.电导率:5×10^-7~10^7s/cm
4.分辨率: 0.1μΩ 测量误差±(0.05%读数±5字)
5.测量电压量程: 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±(0.1%读数)
6.分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.电流输出:直流电流 0~1000mA 连续可调,量程:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,1000mA, 误差:±0.2%读数±2字
8.显示方式:液晶显示:电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.
9.温度要求:23℃±1℃
10.电源:220±10% 50HZ/60HZ
瑞柯微 FT-300TZ两探针电阻率测试仪,FT-300TZ
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