仪器简介: 全球专业的沉积设备制造商,为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案:电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等;
磁控溅射系统:
1.静态溅射系统(Static Sputtering System)
2.磁控共溅镀系统(Co-Sputtering System)
3.反应射频磁控溅射系统(Reactive Sputtering System)
4.Rotating Planarity Sputtering System
5.Rotating Drum Sputtering System
6.Cluster Tool Sputtering System
7.在线溅射系统(In-line Sputtering System)
技术参数: 1.磁控溅射枪和电源:
•圆形溅射枪
--溅射枪:1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 13 inch
--超高真空溅射枪:1, 2, 3, 4 inch
•永磁体:NdFeB
--固定磁体:薄膜均匀性<±3.0 %
--移动磁体:薄膜均匀性<±1.5 %
•阴极:OFHC Copper
•矩形溅射枪
--宽:1,5 to 4 inch (to 10 inch for double erosion)
--长度:5 to 25 inch (to 120 inch for large planar area deposition)
--永磁体:NdFeB
--阴极:OFHC Copper
•电源
•直流电源:1 to 20 kW
•中频电源: 1 to 20 kW
•射频电源:0.3 to 15 kW
2.薄膜沉积控制:
•IC-5 and PC Control
--沉积参数控制
--石英晶体振荡传感器-Single, dual or six sensor
•膜厚监控和沉积过程计算机控制
•膜厚监控和沉积速率计算机控制
•大面积沉积(如 ITO上沉积LCD)
•可升级为在线磁控溅射系统
•基底尺寸:20 up to 120 inch
•质量流量和自动压力控制
--质量流量控制器:多种气体控制
•Baratron真空规:用于等离子体处理
•节流阀和控制器
3.真空室:
•圆柱形腔体
--直径: φ300 ~ 2,000 (Substrate : 2 to 12 inch, 1 to 400 sheets)
--高度: 500 mm
•方形腔体
•根据客户需求定制
•带自动样品递送装置的Loadlock样品加载室
4.真空泵和测量装置:
•低真空:干泵和convectron真空规
•高真空:涡轮分子泵,低温泵和离子规
5.控制系统:
•硬件:PLC和计算机触摸屏控制
•自动和手动沉积控制
主要特点: •射频电源:基底预先清洗和等离子体辅助沉积
•温度控制器:基底加热
•大面积基底传送装置
•冷却系统
磁控溅射系统,MANTIS
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