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设备规格:
1.全自动操作模式,Robot自动上片取片、RFID识别;
2.双腔体生产模式,单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆,支持(300mmx300mm) 样品;
3.退火温度范围 300℃-1000℃;
4.升温速率 ≦100℃/sec(裸片);
5.温度均匀性 ≦±1%;
6.真空腔体(可选配常压腔体或正压腔体);
7.冷却方式包括水冷和氮气吹扫;
8.MFC控制,3-5路制程气体;
工艺应用:
快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);
离子注入/接触退火;
高温退火;
高温扩散。
金属合金;
热氧化处理;
应用领域:
化合物半导体(砷化镓、氮化物、碳化硅等);
多晶硅;
太阳能电池片;
MEMS;
功率器件;
IC晶圆;
LED晶圆。
12寸快速退火炉,LH-RTA-B
12寸快速退火炉信息由量伙半导体设备(上海)有限公司为您提供,如您想了解更多关于12寸快速退火炉报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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