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IMPATT雪崩二极管
产品描述:
雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz, 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。 雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽,所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。
产品特点:
◆ 80-120GHz 频率范围
◆ 典型输出功率 10mW
◆ 结构紧凑性价比高
◆ 1 年保修期
雪崩二极管技术参数: 可选项:
◆ 频率范围:80-140GHz ◆ TTL 调制选项
◆ 可用的最低输出功率:10mW ◆ 精确附加锥形角
◆ 典型线宽:1MHz ◆ 高输出功率选项 (>50mW 射频功率输出)
◆ 工作电压:15-16V ◆ 工作电流:110-120mA
◆ 输入功率:2W
性能更新后的典型IMPATT二极管参数规格:
IMPATT diode@100GHz
IMPATT diode @ 140 GHz
操作频率
≈100GHz
≈140GHz
TTL调制
1us 上升或下降时间
1us上升或下降时间
高功率输出
≈80mW
≈30mW
圆锥喇叭天线/法兰
严格固定/WR-8 or WR-10
严格固定/WR-6
TerasSense 太赫兹产生器 IMPATT, IMPATT Diodes
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