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高功率1550nm 8nm宽带可调谐分布布拉格反射(DBR)半导体激光器
作为光通信领域最前沿的高端光电器件,也是国内光电器件厂商至今尚未研发成功的高端光电器件之一,Idealphotonics的8nm宽带可调谐激光器,有线宽窄功率高等优点。在光通讯用可调谐半导体布拉格激光器填补了国内可调谐激光器芯片的设计及规模化生产的空白,是下一代超高带宽光通讯网络建设的新一代核心器件。
一个器件可同时为多个频道备份,减少备份量及运营成本;实现超清晰图像和超大数据量的实时传输和调用,彻底消除由于光通信带宽限制所造成的种种瓶颈。
产品特性:
ü 高功率输出
ü 中心波长可定制
ü 波长快速调谐
ü 波长调谐可覆盖范围20-25/40-50个ITU通道
ü 高边模抑制比
ü 14pin蝶形封装&7pin射频封装
应用领域:
l 光通信接入网应用
波分复用(WDM)、可调谐WDM光收发模块、大数据、云计算、可调谐SFP+模块、相干通信;机载、舰载、星载各类通信;跳频保密通信。
l 光学传感
机载、舰载、星载各类传感设备;水下声波探测、监听;核试验震动探测;激光雷达、激光制导应用等等;石油天然气勘探,油井储量检测,油气海底传输管线监护;陆地、水下声波检测,地震检测;公路、桥梁、大坝检测;轨道交通的检测和防护;高压输电线的运行和安全监测;核电设施的检测和防护;物联网中各类传感器的光源;国土安全检测、海洋环境检测等。
性能参数:(连续光测试,芯片温控25℃)
参数
最小值
典型值
最大值
单位
输出光功率
30
40
-
mW
中心波长(可定制)
1550
nm
波长调谐范围
6
8
波长调谐速率
10
ms
谱宽
3
--
MHz
RF直调速率
Gb/s
阈值电流
mA
偏振消光比
20
dB
边模抑制比
50
相对强度噪声
-135
dB/Hz
建议芯片温度
25
℃
工作温度
-5
+75
存储温度
-40
+85
典型性能图:
1.光谱与波长调谐图(调谐范围 8.5-10nm)
L.I.V图像:
波长调谐与边模抑制比
14针DFB封装前后LIV曲线对比
封装类型:
A.14-针蝶形封装 B.射频RF-7针封装
宽带可调谐布拉格反射(DBR)半导体激光器, 功率1550nm 8nm
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