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大光敏面锗(Ge)光电二极管-近红外波长
Microphotons的 MP-FDG50锗光电探测器(germanium (Ge) photodiode )是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长 800 to 1800 nm的完美选择. 此探测器为TO-8 封装,便于集成到系统也便于客户单独使用。
Specifications
Sensor Material
Ge
Wavelength Range
800 - 1800 nm
Peak Wavelength
1550 nm (Typ.)
Responsivity
0.85 A/W (Typ.)
Active Area Diameter
19.6 mm2 (?5 mm)
Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms, 10 V)
220 ns / 220 ns (Typ.)
NEP, Typical (1550 nm)
4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)
Dark Current (5 V)
60 μA (Max.)
Capacitance (10 V)Capacitance (0 V)
1800 pF (Max.)16000 pF (Max.)
Shunt Resistance
4000 Ohm (Typ.)
Package
TO-8
Max Ratings
Max Bias (Reverse) Voltage
10 V
Operating Temperature
-55 to 60 °C
Storage Temperature
大光敏面锗(Ge)光电二极管-近红外波长, MP-FDG50
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