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SI APD雪崩光电探测器
AD100-8 TO
圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。
产品特征:
APD具有0.008mm2的有效面积
100μm直径有效面积
低偏置电压时的高增益
快速上升时间,低电容
最佳增益:50-60
产品应用:
激光测距仪
高速光度测定
高速光通信
用器材
绝对最大额定值:
符号
参数
最小值
最大值
单位
TSTG
Storage temp
-55
125
℃
TOP
Operating temp
-40
100
Mmax
Gain (IPO=1 nA)
-200
IPEAK
Peak DC current
0.25
mA
光电参数@23℃:
特性
测试条件
典型值
有效区域
直径 100
um
0.00785
mm2
ID
暗电流
M=100
0.05
0.1
nA
C
电容
0.5
pF
响应
M=100;λ=800nm
45
50
A/W
tR
上升时间
M=100;λ=905nm;RL=50?
0.18
ns
截止频率
-3dB
2
GHz
VBR
击穿电压
IR=2uA
80
160
v
温度系数
VBR随时间变化
0.35
0.45
0.55
V/K
过大噪声因素
2.2
过大噪声指数
0.2
光谱响应图(M=100):
量子效应(23℃) 电容为反偏压(23°C)
乘积作为偏压(23°C,60℃) 暗电流为偏压(23℃,60℃)
应用提示:
?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制
?对于低光照应用,应使用环境光的遮挡
?对于高增益应用,偏置电压应进行温度补偿
?处理时请考虑基本的ESD保护
?使用低噪声读出 - IC
?有关更多问题,请参阅文档“处理和处理说明”
?最佳增益:50-60
封装图:
包装尺寸:
少量:泡沫垫,盒装(12厘米x 16.5厘米)
SI APD雪崩光电探测器, AD100-8 TO
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