405nm 50mW 同轴封装 单模光纤 半导体激光器
405nm 50mW单模光纤耦合激光器
订购型号:MPLP-405-050m-4
极限参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
反向电压 | Vre | 5.0 | V |
工作温度 | Top | 0-+70 | ℃ |
存储温度 | Tst | -35-+85 | ℃ |
焊接温度 | Tis | 260 | ℃ |
主要特征 波长405nm 3-4μm单模光纤 同轴封装 光电探测器可选 应用领域 医疗 印刷 | |
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典型技术指标(25℃) | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
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光学参数 | 中心波长 | λc | nm | 400 | 405 | 410 |
连续输出功率 | Po | mW | - | 50mW | - |
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光谱宽度 | △λ | nm | - | 2.0 | - |
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波长温度系数 | - | Nm/℃ | - | - | - |
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光纤参数 | 光纤芯径 | Wc | μm | 3 |
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数值孔径 | NA | nm |
| 0.12 |
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光纤长度 |
| cm |
| 80 | 100 |
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光纤类型 | 紫外单模光纤 |
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连接器 | FC/ST/SMA905 |
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电学参数 | 工作电压 | Vop | V | - | 4.6 | 5.5 |
阈值电流 | Ith | mA | - | 35 | 50 |
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工作电流 | Iop | mA | - | 110 | 130 |
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监测电流 |
| mA |
| - |
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微分效率 | ηD | mW/mA | 1.0 | 1.5 | 2.0 |
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PD参数 | 反向耐压 |
| V |
| - |
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正向电流 |
| mA |
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其他参数 | 封装类型 | 同轴 |
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| 侧面探测器可选 |
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同轴封装图
引脚底部图
注意事项
一.激光器工作时避免激光器直射眼镜和皮肤,即使很微弱的激光进入眼睛,经过眼睛的会聚作用, 也可能造成严重的损伤。
二.激光器需要稳定的驱动电源,避免出现浪涌,瞬时反向电流反向电压不能超过极限值,否则会损 坏元器件。
三.半导体激光器对温度比较敏感,在高温工作会降低转换效率,加速元器件老 化,需要在充分散热 或制冷的条件下使用。
四.激光器应在额定电流,额定功率下使用,输出功率过高会加速元器件老化。
五.激光器属于静电敏感器件,在运输,储存和使用中必须采取防静 电措施。
六.激光器应存放或工作在干燥,通风的环境中,防止结露损坏激光 器。
七.发光面(腔面)是激光器的关键部分之一,避免任何操作损伤到 腔面,器件使用过程中应确保管芯不被污染并防止机械损伤。
八.光纤不可有大角度的弯折,弯曲直径要大于 300 倍光纤直径
405nm 50mW 单模光纤耦合激光器, MPLP-405-050m-4
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